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부품번호 | BDX33D 기능 |
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기능 | Silicon NPN Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
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전체 2 페이지수
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
BDX33D
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS)= 120V(Min)
·High DC Current Gain
: hFE= 750(Min) @IC= 3A
·Low Collector Saturation Voltage
: VCE(sat)= 2.5V(Max.)@ IC= 3A
·Complement to Type BDX34D
APPLICATIONS
·Designed for general purpose amplifier and low speed
switching applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
120 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
120 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
10 A
ICM Collector Current-Peak
15 A
IB Base Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
TJ Junction Temperature
0.25 A
70 W
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range
-65~150
℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
1.78 ℃/W
isc website: www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ BDX33D.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BDX33 | POWER TRANSISTORS(10A/70W) | Mospec Semiconductor |
BDX33 | NPN SILICON POWER DARLINGTONS | Power Innovations Limited |
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