|
|
|
부품번호 | BUL903ED 기능 |
|
|
기능 | Silicon NPN Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BUL903ED
DESCRIPTION
·INTEGRATED ANTISATURATION AND
PROTECTIONNETWORK
·INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR
EMITTER DIODE
·HIGH VOLTAGECAPABILITY
·LOW SPREADOF DYNAMIC PARAMETERS
·MINIMUMLOT-TO-LOT SPREAD FOR
RELIABLEOPERATION
·VERYHIGH SWITCHING SPEED
·ARCING TEST SELFPROTECTED
APPLICATIONS
·LAMP ELECTRONIC BALLASTFOR
FLUORESCENT LIGHTINGUSING 277V
HALF BRIDGECURRENT-FED
CONFIGURATION
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
VCES
Collector-Emitter Voltage (VBE = 0)
900
VCEO
Collector-Emitter Voltage(IB = 0)
400
VEBO
Emitter-Base Voltage (IC = 0)
7
IC Collector Current-Continuous
5
ICM Collector Peak Current (tp <5 ms)
8
IB Base Current
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
TJ Junction Temperature
2
70
150
Tstg Storage Temperature Range
-65~150
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case
1.8 ℃/W
Rth j-a Thermal Resistance, Junction to Ambient 62.5 ℃/W
isc website:www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark
| |||
구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ BUL903ED.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BUL903ED | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR | STMicroelectronics |
BUL903ED | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |