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2SD1113 PDF 데이터시트 ( Data , Function )

부품번호 2SD1113 기능
기능 Silicon NPN Power Transistor
제조업체 Inchange Semiconductor
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2SD1113 데이터시트, 핀배열, 회로
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
isc Product Specification
2SD1113
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS)= 300V(Min)
·High DC Current Gain
: hFE= 500(Min) @IC= 4A
APPLICATIONS
·Igniter
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
300 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
300 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
7V
IC Collector Current-Continuous
6A
ICM Collector Current-Peak
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25
TJ Junction Temperature
10 A
40 W
150
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
isc websitewww.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark





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