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BD107 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BD107
기능 Silicon NPN Power Transistor
제조업체 Inchange Semiconductor
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BD107 데이터시트, 핀배열, 회로
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BD107
DESCRIPTION
·Continuous Collector Current -IC= 2.5A
·Power Dissipation-PD=12W @TC= 25
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance
and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for driver and output stages and high
power switching.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
65 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
65 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
2.5 A
PC Collector Power Dissipation@TC=2512
W
TJ Junction Temperature
-55~175
Tstg Storage Temperature
-55~175
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
13 /W
isc websitewww.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark






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