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BD134 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BD134
기능 Silicon PNP Power Transistor
제조업체 Inchange Semiconductor
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BD134 데이터시트, 핀배열, 회로
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor
isc Product Specification
BD134
DESCRIPTION
·DC Current Gain-
: hFE= 40(Min)@ IC= -0.15A
·Collector-Emitter Sustaining Voltage -
: VCEO(SUS)= -45V(Min)
APPLICATIONS
·Designed for use in audio amplifiers and drivers
utilizing complementary or quasi complementary circuits.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
-45 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-45 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
-5 V
IC Collector Current-Continuous
-1.5 A
IB Base Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25
TJ Junction Temperature
-0.5 A
13 W
150
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
5.0 /W
isc websitewww.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark






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