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부품번호 | BD369 기능 |
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기능 | Silicon PNP Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
로고 | |||
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistors
isc Product Specification
BD369
DESCRIPTION
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)=-1.0V(Max)@ IC=-10A
·DC Current Gain-
: hFE= 20(Min)@IC=-10A
·Excellent Safe Operating Area
APPLICATIONS
·Designed for general purpose power amplifier and switching
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
-80 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-80 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
-5 V
IC Collector Current-Continuous
-25 A
ICM Collector Current-Peak
-50 A
IB Base Current-Continuous
-7.5 A
PD Total Power Dissipation @TC=25℃
200 W
Tj Junction Temperature
-65~200 ℃
Tstg Storage Temperature
-65~200 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX
0.875
UNIT
℃/W
isc website:www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BD36-931 | Diode ( Rectifier ) | American Microsemiconductor |
BD36-933 | Diode ( Rectifier ) | American Microsemiconductor |
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