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2N6582 데이터시트 PDF




Inchange Semiconductor에서 제조한 전자 부품 2N6582은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2N6582 자료 제공

부품번호 2N6582 기능
기능 Silicon NPN Power Transistor
제조업체 Inchange Semiconductor
로고 Inchange Semiconductor 로고


2N6582 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2N6582 데이터시트, 핀배열, 회로
isc Silicon NPN Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
2N6582
DESCRIPTION
·Excellent Safe Operating Area
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = 350V(Min)
·High Current Capability
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.5 V(Max)@ IC = 10A
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for linear amplifiers, series pass regulators, and
inductive switching applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
450 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
350 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
9V
IC Collector Current-Continuous
10 A
PC Collector Power Dissipation@TC=25125
W
TJ Junction Temperature
200
Tstg Storage Temperature
-65~200
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX
1.17
UNIT
/W
isc websitewww.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark





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