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부품번호 | IDK05G65C5 기능 |
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기능 | Silicon Carbide Diode | ||
제조업체 | Infineon | ||
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전체 11 페이지수
SiC
Silicon Carbide Diode
5th Generation thinQ!TM
650V SiC Schottky Diode
IDK05G65C5
Final Data Sheet
Rev. 2.0, 2013-07-20
Power Management & Multimarket
5th Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
IDK05G65C5
Maximum ratings
2 Maximum ratings
Table 3
Parameter
Maximum ratings
Symbol
Continuous forward current
IF
Surge non-repetitive forward current, IF,SM
sine halfwave
Non-repetitive peak forward current IF,max
i²t value
∫ i²dt
Repetitive peak reverse voltage
Diode dv/dt ruggedness
Power dissipation
Operating and storage temperature
Mounting torque
VRRM
dv/dt
Ptot
Tj;Tstg
Min.
–
–
–
–
–
–
–
–
–
-55
–
Values
Typ.
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
Max.
5
46
41
251
10.4
8.4
650
100
55
175
60
Unit
A
A²s
V
V/ns
W
°C
Ncm
Note/Test Condition
TC < 145°C, D=1
TC = 25°C, tp=10 ms
TC = 150°C, tp=10 ms
TC = 25°C, tp=10 µs
TC = 25°C, tp=10 ms
TC = 150°C, tp=10 ms
Tj = 25°C
VR=0..480 V
TC = 25°C
M2.5 screws
3 Thermal characteristics
Table 4
Thermal characteristics TO-263-2
Parameter
Symbol
Min.
Thermal resistance, junction-case
Thermal resistance, junction-
ambient 1)
RthJC
RthJA
–
–
Soldering temperature, wave- &
reflow soldering allowed
Tsold
–
Values
Typ.
1.7
–
35
–
Max.
2.7
62
260
Unit Note/Test Condition
K/W
°C
SMD version, device on
PCB, minimal footprint
SMD version, device on
PCB, 6cm² cooling area
Reflow MSL 1
1) Device on 40mm*40mm*1.5mm one layer epoxy PCB FR4 with 6cm² copper area (thickness 70µm) for drain
connection, PCB is vertical without air stream cooling.
Final Data Sheet
4 Rev. 2.0, 2013-07-20
4페이지 Table 9
Typ. capacitance charge vs. current slope1)
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
100 300 500 700 900
dIF/dt [A/µs]
QC=f(diF/dt); Tj=150°C; VR=400 V; IF≤IF,max
1) Only capacitive charge, guaranteed by design.
5th Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
IDK05G65C5
Electrical characteristics diagrams
Typ. reverse current vs. reverse voltage
1.E-5
1.E-6
1.E-7
1.E-8
1.E-9
100
175°C
150°C
100°C
-55°C
25°C
200 300 400 500 600
VR [V]
IR=f(VR); parameter: Tj;
Table 10
Max. transient thermal impedance
1
0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01
single pulse
0.01
1.E-06
1.E-03
tp [s]
Zth,jc=f(tP); parameter: D=tP/T;
1.E+00
Typ. capacitance vs. reverse voltage
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1 10
VR [V]
C=f(VR); Tj=25°C; f=1 MHz
100
1000
Final Data Sheet
7 Rev. 2.0, 2013-07-20
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