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부품번호 | IDK06G65C5 기능 |
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기능 | Silicon Carbide Diode | ||
제조업체 | Infineon | ||
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전체 11 페이지수
SiC
Silicon Carbide Diode
5th Generation thinQ!TM
650V SiC Schottky Diode
IDK06G65C5
Final Data Sheet
Rev. 2.0, 2012-07-20
Power Management & Multimarket
5th Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
IDK06G65C5
Maximum ratings
2 Maximum ratings
Table 3
Parameter
Maximum ratings
Symbol
Continuous forward current
IF
Surge non-repetitive forward current, IF,SM
sine halfwave
Non-repetitive peak forward current IF,max
i²t value
∫ i²dt
Repetitive peak reverse voltage
Diode dv/dt ruggedness
Power dissipation
Operating and storage temperature
VRRM
dv/dt
Ptot
Tj;Tstg
Min.
–
–
–
–
–
–
–
–
–
-55
Values
Typ.
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
Max.
6
54
48
291
14
11
650
100
62
175
Unit Note/Test Condition
A
A²s
V
V/ns
W
°C
TC < 145°C, D=1
TC = 25°C, tp=10 ms
TC = 150°C, tp=10 ms
TC = 25°C, tp=10 µs
TC = 25°C, tp=10 ms
TC = 150°C, tp=10 ms
Tj = 25°C
VR=0..480 V
TC = 25°C
3 Thermal characteristics
Table 4
Thermal characteristics TO-263-2
Parameter
Symbol
Min.
Thermal resistance, junction-case
Thermal resistance, junction-
ambient 1)
RthJC
RthJA
–
–
Values
Typ.
1.5
–
35
Max.
2.4
62
Unit Note/Test Condition
K/W
SMD version, device on
PCB, minimal footprint
SMD version, device on
PCB, 6cm² cooling area
1) Device on 40mm*40mm*1.5mm one layer epoxy PCB FR4 with 6cm² copper area (thickness 70µm) for drain
connection, PCB is vertical without air stream cooling.
Final Data Sheet
4 Rev. 2.0, 2013-07-20
4페이지 Table 9
Typ. capacitance charge vs. current slope1)
12
10
8
6
4
2
0
100 300 500 700 900
dIF/dt [A/µs]
QC=f(diF/dt); Tj=150°C; VR=400 V; IF≤IF,max
1) Only capacitive charge, guaranteed by design.
Table 10
Max. transient thermal impedance
5th Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
IDK06G65C5
Electrical characteristics diagrams
Typ. reverse current vs. reverse voltage
1.E-5
1.E-6
1.E-7
175°C
1.E-8
150°C
100°C
25°C -55°C
1.E-9
100 200 300 400 500 600
VR [V]
IR=f(VR); parameter: Tj;
Typ. capacitance vs. reverse voltage
250
1
0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01
single pulse
0.01
1.E-06
1.E-03
tp [s]
Zth,jc=f(tP); parameter: D=tP/T;
1.E+00
200
150
100
50
0
0 1 10 100 1000
VR [V]
C=f(VR); Tj=25°C; f=1 MHz
Final Data Sheet
7 Rev. 2.0, 2013-07-20
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