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IDK06G65C5 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 IDK06G65C5은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IDK06G65C5 자료 제공

부품번호 IDK06G65C5 기능
기능 Silicon Carbide Diode
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


IDK06G65C5 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 11 페이지수

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IDK06G65C5 데이터시트, 핀배열, 회로
SiC
Silicon Carbide Diode
5th Generation thinQ!TM
650V SiC Schottky Diode
IDK06G65C5
Final Data Sheet
Rev. 2.0, 2012-07-20
Power Management & Multimarket




IDK06G65C5 pdf, 반도체, 판매, 대치품
5th Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
IDK06G65C5
Maximum ratings
2 Maximum ratings
Table 3
Parameter
Maximum ratings
Symbol
Continuous forward current
IF
Surge non-repetitive forward current, IF,SM
sine halfwave
Non-repetitive peak forward current IF,max
i²t value
i²dt
Repetitive peak reverse voltage
Diode dv/dt ruggedness
Power dissipation
Operating and storage temperature
VRRM
dv/dt
Ptot
Tj;Tstg
Min.
-55
Values
Typ.
Max.
6
54
48
291
14
11
650
100
62
175
Unit Note/Test Condition
A
A²s
V
V/ns
W
°C
TC < 145°C, D=1
TC = 25°C, tp=10 ms
TC = 150°C, tp=10 ms
TC = 25°C, tp=10 µs
TC = 25°C, tp=10 ms
TC = 150°C, tp=10 ms
Tj = 25°C
VR=0..480 V
TC = 25°C
3 Thermal characteristics
Table 4
Thermal characteristics TO-263-2
Parameter
Symbol
Min.
Thermal resistance, junction-case
Thermal resistance, junction-
ambient 1)
RthJC
RthJA
Values
Typ.
1.5
35
Max.
2.4
62
Unit Note/Test Condition
K/W
SMD version, device on
PCB, minimal footprint
SMD version, device on
PCB, 6cm² cooling area
1) Device on 40mm*40mm*1.5mm one layer epoxy PCB FR4 with 6cm² copper area (thickness 70µm) for drain
connection, PCB is vertical without air stream cooling.
Final Data Sheet
4 Rev. 2.0, 2013-07-20

4페이지










IDK06G65C5 전자부품, 판매, 대치품
Table 9
Typ. capacitance charge vs. current slope1)
12
10
8
6
4
2
0
100 300 500 700 900
dIF/dt [A/µs]
QC=f(diF/dt); Tj=150°C; VR=400 V; IFIF,max
1) Only capacitive charge, guaranteed by design.
Table 10
Max. transient thermal impedance
5th Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
IDK06G65C5
Electrical characteristics diagrams
Typ. reverse current vs. reverse voltage
1.E-5
1.E-6
1.E-7
175°C
1.E-8
150°C
100°C
25°C -55°C
1.E-9
100 200 300 400 500 600
VR [V]
IR=f(VR); parameter: Tj;
Typ. capacitance vs. reverse voltage
250
1
0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01
single pulse
0.01
1.E-06
1.E-03
tp [s]
Zth,jc=f(tP); parameter: D=tP/T;
1.E+00
200
150
100
50
0
0 1 10 100 1000
VR [V]
C=f(VR); Tj=25°C; f=1 MHz
Final Data Sheet
7 Rev. 2.0, 2013-07-20

7페이지


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