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IDK10G65C5 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 IDK10G65C5은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IDK10G65C5 자료 제공

부품번호 IDK10G65C5 기능
기능 Silicon Carbide Diode
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


IDK10G65C5 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 11 페이지수

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IDK10G65C5 데이터시트, 핀배열, 회로
SiC
Silicon Carbide Diode
5th Generation thinQ!TM
650V SiC Schottky Diode
IDK10G65C5
Final Data Sheet
Rev. 2.0, 2013-07-20
Power Management & Multimarket




IDK10G65C5 pdf, 반도체, 판매, 대치품
5th Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
IDK10G65C5
Maximum ratings
2 Maximum ratings
Table 3
Parameter
Maximum ratings
Symbol
Continuous forward current
IF
Surge non-repetitive forward current, IF,SM
sine halfwave
Non-repetitive peak forward current IF,max
i²t value
i²dt
Repetitive peak reverse voltage
Diode dv/dt ruggedness
Power dissipation
Operating and storage temperature
Mounting torque
VRRM
dv/dt
Ptot
Tj;Tstg
Min.
-55
Values
Typ.
Max.
10
82
71
431
34
25
650
100
89
175
60
Unit Note/Test Condition
A
A²s
V
V/ns
W
°C
Ncm
TC < 140°C, D=1
TC = 25°C, tp=10 ms
TC = 150°C, tp=10 ms
TC = 25°C, tp=10 µs
TC = 25°C, tp=10 ms
TC = 150°C, tp=10 ms
Tj = 25°C
VR=0..480 V
TC = 25°C
M2.5 screws
3 Thermal characteristics
Table 4
Thermal characteristics TO-263-2
Parameter
Symbol
Min.
Thermal resistance, junction-case
Thermal resistance, junction-
ambient 1)
RthJC
RthJA
Values
Typ.
1.0
35
Max.
1.7
62
Unit Note/Test Condition
K/W
SMD version, device on
PCB, minimal footprint
SMD version, device on
PCB, 6cm² cooling area
1) Device on 40mm*40mm*1.5mm one layer epoxy PCB FR4 with 6cm² copper area (thickness 70µm) for drain
connection, PCB is vertical without air stream cooling.
Final Data Sheet
4 Rev. 2.0, 2013-07-20

4페이지










IDK10G65C5 전자부품, 판매, 대치품
Table 9
Typ. capacitance charge vs. current slope1)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
100
400 700
dIF/dt [A/µs]
QC=f(diF/dt); Tj=150°C; VR=400 V; IFIF,max
1) Only capacitive charge, guaranteed by design.
1000
5th Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
IDK10G65C5
Electrical characteristics diagrams
Typ. reverse current vs. reverse voltage
1.E-5
1.E-6
1.E-7
175°C
150°C
1.E-8
100°C
25°C
-55°C
1.E-9
100 200 300 400 500 600
VR [V]
IR=f(VR); parameter: Tj
Table 10
Max. transient thermal impedance
1
0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01
single pulse
0.01
1.E-06
1.E-03
tp [s]
Zth,jc=f(tP); parameter: D=tP/T;
1.E+00
Typ. capacitance vs. reverse voltage
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0 1 10
VR [V]
C=f(VR); Tj=25°C; f=1 MHz
100
1000
Final Data Sheet
7 Rev. 2.0, 2013-07-20

7페이지


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