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부품번호 | 2N3186 기능 |
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기능 | Silicon PNP Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
로고 | |||
isc Silicon PNP Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
2N3186
DESCRIPTION
·Excellent Safe Operating Area
·With TO-3 package
·Low collector saturation voltage
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·For medium-speed switching and amplifier applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
-100
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-100
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
-10 V
IC Collector Current-Continuous
-5 A
PC
TJ, Tstg
Collector Power Dissipation@TC=25℃
75
Operating and Storage Junction
Temperature Range
-65~+200
W
℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
1.17 ℃/W
isc website:www.iscsemi.com1
isc & iscsemi is registered trademark
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2N3183 | Silicon PNP Power Transistors | SavantIC |
2N3183 | (2N3xxx) | ETC |
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