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부품번호 | 2N3236 기능 |
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기능 | Silicon NPN Power Transistor | ||
제조업체 | Inchange Semiconductor | ||
로고 | |||
isc Silicon NPN Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
2N3236
DESCRIPTION
·Excellent Safe Operating Area
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance
and reliable operation.
APPLICATIONS
·Designed for general purpose high power switch and
amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
90 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
90 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
7V
IC Collector Current-Continuous
15 A
PC Collector Power Dissipation@TC=25℃ 150
W
TJ Junction Temperature
175 ℃
Tstg Storage Temperature
-65~175 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
1.17 ℃/W
isc website:www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2N3232 | (2N3232 / 2N3235) Silicon Power Transistors | Westinghouse |
2N3232 | Silicon NPN Power Transistors | SavantIC |
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