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BU941ZE3 데이터시트 PDF




Cystech Electonics에서 제조한 전자 부품 BU941ZE3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BU941ZE3 자료 제공

부품번호 BU941ZE3 기능
기능 NPN Epitaxial Planar Transistor
제조업체 Cystech Electonics
로고 Cystech Electonics 로고


BU941ZE3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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BU941ZE3 데이터시트, 핀배열, 회로
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C660E3
Issued Date : 2010.02.03
Revised Date :
Page No. : 1/5
NPN Epitaxial Planar Transistor
BU941ZE3
BVCEO
IC
RCESAT(MAX)
350V
15A
0.18Ω
Features
High BVCEO
Low VCE(SAT)
High current capability
Built-in clamping zener
Pb-free lead plating package
Applications
High ruggedness electronic ignitions
Equivalent Circuit
BU941ZE3
B
C
Outline
TO-220
BBase
CCollector
EEmitter
E
BCE
BU941ZE3
CYStek Product Specification




BU941ZE3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C660E3
Issued Date : 2010.02.03
Revised Date :
Page No. : 4/5
Recommended wave soldering condition
Product
Peak Temperature
Pb-free devices
260 +0/-5 °C
Soldering Time
5 +1/-1 seconds
Recommended temperature profile for IR reflow
Profile feature
Sn-Pb eutectic Assembly
Pb-free Assembly
Average ramp-up rate
(Tsmax to Tp)
3°C/second max.
3°C/second max.
Preheat
Temperature Min(TS min)
Temperature Max(TS max)
Time(ts min to ts max)
100°C
150°C
60-120 seconds
150°C
200°C
60-180 seconds
Time maintained above:
Temperature (TL)
Time (tL)
183°C
60-150 seconds
217°C
60-150 seconds
Peak Temperature(TP)
240 +0/-5 °C
260 +0/-5 °C
Time within 5°C of actual peak
temperature(tp)
10-30 seconds
20-40 seconds
Ramp down rate
6°C/second max.
6°C/second max.
Time 25 °C to peak temperature
6 minutes max.
8 minutes max.
Note : All temperatures refer to topside of the package, measured on the package body surface.
BU941ZE3
CYStek Product Specification

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