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부품번호 | BU941ZE3 기능 |
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기능 | NPN Epitaxial Planar Transistor | ||
제조업체 | Cystech Electonics | ||
로고 | |||
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C660E3
Issued Date : 2010.02.03
Revised Date :
Page No. : 1/5
NPN Epitaxial Planar Transistor
BU941ZE3
BVCEO
IC
RCESAT(MAX)
350V
15A
0.18Ω
Features
•High BVCEO
•Low VCE(SAT)
•High current capability
•Built-in clamping zener
•Pb-free lead plating package
Applications
•High ruggedness electronic ignitions
Equivalent Circuit
BU941ZE3
B
C
Outline
TO-220
B:Base
C:Collector
E:Emitter
E
BCE
BU941ZE3
CYStek Product Specification
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C660E3
Issued Date : 2010.02.03
Revised Date :
Page No. : 4/5
Recommended wave soldering condition
Product
Peak Temperature
Pb-free devices
260 +0/-5 °C
Soldering Time
5 +1/-1 seconds
Recommended temperature profile for IR reflow
Profile feature
Sn-Pb eutectic Assembly
Pb-free Assembly
Average ramp-up rate
(Tsmax to Tp)
3°C/second max.
3°C/second max.
Preheat
−Temperature Min(TS min)
−Temperature Max(TS max)
−Time(ts min to ts max)
100°C
150°C
60-120 seconds
150°C
200°C
60-180 seconds
Time maintained above:
−Temperature (TL)
− Time (tL)
183°C
60-150 seconds
217°C
60-150 seconds
Peak Temperature(TP)
240 +0/-5 °C
260 +0/-5 °C
Time within 5°C of actual peak
temperature(tp)
10-30 seconds
20-40 seconds
Ramp down rate
6°C/second max.
6°C/second max.
Time 25 °C to peak temperature
6 minutes max.
8 minutes max.
Note : All temperatures refer to topside of the package, measured on the package body surface.
BU941ZE3
CYStek Product Specification
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BU941ZE3 | NPN Epitaxial Planar Transistor | Cystech Electonics |
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