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BD175 데이터시트 PDF




TRANSYS에서 제조한 전자 부품 BD175은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BD175 자료 제공

부품번호 BD175 기능
기능 EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS
제조업체 TRANSYS
로고 TRANSYS 로고


BD175 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BD175 데이터시트, 핀배열, 회로
Transys
Electronics
LIMITED
EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS
BD175
BD177
BD179
NPN
BD176
BD178
BD180
PNP
ECB
Intended for use in Medium Power Linear Switching Applications
TO126
Plastic Package
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION
Collector -Emitter Voltage
Collector -Base Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current
Collector Peak Current
Power Dissipation @ Ta=25ºC
Derate above 25ºC
Power Dissipation @ Tc=25ºC
Operating and Storage Junction
Temperature Range
SYMBOL
VCEO
VCBO
VEBO
IC
ICM
PD
PD
Tj, Tstg
BD175
BD176
45
45
BD177
BD178
60
60
5.0
3.0
7.0
1.25
10
30
- 65 to +150
BD179
BD180
80
80
UNIT
V
V
V
A
A
W
mW/ºC
W
ºC
THERMAL CHARACTERISTICS
Junction to Ambient in free air
Junction to Case
Rth (j-a)
Rth (j-c)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25ºC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL TEST CONDITION
Collector Cut off Current
ICBO
VCB=45V, IE=0
VCB=60V, IE=0
Emitter Cut off Current
Collector Emitter Sustaining Voltage
IEBO
*VCEO (sus)
VCB=80V, IE=0
VEB=5V, IC=0
IC=100mA, IB=0
Collector Emitter Saturation Voltage
Base Emitter on Voltage
DC Current Gain
*VCE (sat)
*VBE (on)
*hFE
*hFE Group
IC=1A, IB=0.1A
IC=1A, VCE=2V
IC=150mA, VCE=2V
IC=1A, VCE=2V
IC=150mA, VCE=2V
Transition Frequency
fT
*Pulse test:- Pulse width=300µs, Duty cycle=1.5%
Only BD175/76/79
IC=250mA, VCE=10V
100
4.16
BD175/76
BD177/78
BD179/80
BD175/76
BD177/78
BD179/80
-6
- 10
- 16
MIN
45
60
80
40
15
40
63
100
3.0
ºC/W
ºC/W
MAX
100
100
100
1.0
0.8
1.3
UNIT
µA
µA
µA
mA
V
V
V
V
V
100
160
250
ΜΗz





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다운로드[ BD175.PDF 데이터시트 ]

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