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FQP50N06 데이터시트 PDF




Thinki Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FQP50N06은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FQP50N06 자료 제공

부품번호 FQP50N06 기능
기능 N-Channel Power MOSFET / Transistor
제조업체 Thinki Semiconductor
로고 Thinki Semiconductor 로고


FQP50N06 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FQP50N06 데이터시트, 핀배열, 회로
FQP50N06
®
FQP50N06
Pb
Pb Free Plating Product
50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET
Features
• 50A, 60V, RDS(on) = 0.022@VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 31 nC)
• Low Crss ( typical 65 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
• 175°C maximum junction temperature rating
1. Gate {
{ 2. Drain
◀▲
{ 3. Source
General Description
This N-channel enhancement mode field-effect power transistor
using THINKI Semiconductor advanced planar stripe, DMOS technol-
ogy intended for off-line switch mode power supply.
Also, especially designed to minimize rds(on) and high rugged
avalanche characteristics. The TO-220M pkg is well suited for
adaptor power unit and small power inverter application.
BVDSS = 60V
RDS(ON) = 0.022 ohm
ID = 50A
TO-220M
23
1
Absolute Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted
Symbol
VDSS
ID
IDM
VGSS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
PD
TJ, TSTG
TL
Parameter
Drain-Source Voltage
Drain Current
- Continuous (TC = 25°C)
- Continuous (TC = 100°C)
Drain Current - Pulsed
(Note 1)
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Avalanche Current
(Note 1)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
Power Dissipation (TC = 25°C)
- Derate above 25°C
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8" from case for 5 seconds
Thermal Characteristics
Symbol
RθJC
RθCS
RθJA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Case-to-Sink
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
FQP50N06
60
50
35.4
200
± 25
490
50
12
7.0
120
0.8
-55 to +175
300
Typ Max
-- 1.24
0.5 --
-- 62.5
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/°C
°C
°C
Units
°C/W
°C/W
°C/W
Rev.05
© 2006 Thinki Semiconductor Co., Ltd.
Page 1/6
http://www.thinkisemi.com/




FQP50N06 pdf, 반도체, 판매, 대치품
FQP50N06
®
Typical Characteristics (Continued)
1.2
1.1
1.0
0.9 Notes:
1.
2.
VIDG=S =2500Vμ
A
0.8
-100
-50 0 50 100 150
TJ, JunctionTemperature[oC]
200
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
103
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
102
101
100
10-1
100μ s
1 ms
10 ms
DC
Notes :
1. TC = 25 oC
2. T = 175 oC
J
3. Single Pulse
100 101
VDS, Drain-Source Voltage [V]
102
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5 Notes :
1. VGS = 10 V
2. I = 25 A
D
0.0
-100
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
60
50
40
30
20
10
0
25 50 75 100 125 150 175
TC, Case Temperature []
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
100
D =0 .5
0 .2
1 0 -1
0 .1
0.0 5
0.0 2
0.0 1
sin g le p u ls e
Notes :
1 . Z θ J C( t ) = 1 . 2 4 /W M a x .
2 . D u t y Fa c t o r , D = t /t
12
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C( t )
PDM
t1
t2
1 0 -2
1 0 -5
1 0 -4
1 0 -3
1 0 -2
1 0 -1
100
t1, S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
101
Rev.05
© 2006 Thinki Semiconductor Co., Ltd.
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