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MTB9D0N10RQ8 데이터시트 PDF




Cystech Electonics에서 제조한 전자 부품 MTB9D0N10RQ8은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MTB9D0N10RQ8 자료 제공

부품번호 MTB9D0N10RQ8 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
제조업체 Cystech Electonics
로고 Cystech Electonics 로고


MTB9D0N10RQ8 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MTB9D0N10RQ8 데이터시트, 핀배열, 회로
CYStech Electronics Corp.
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
MTB9D0N10RQ8
Spec. No. : C169Q8
Issued Date : 2016.11.04
Revised Date :
Page No. : 1/9
Features
Single Drive Requirement
Low On-resistance
Fast Switching Characteristic
Repetitive Avalanche Rated
Pb-free & Halogen-free package
BVDSS
ID @ TA=25°C, VGS=10V
ID @ TA=70°C, VGS=10V
RDS(ON)@VGS=10V, ID=11.5A
RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=9.5A
100V
12A
9.6A
5.6 mΩ(typ)
7.3 mΩ(typ)
Symbol
MTB9D0N10RQ8
Outline
DD
SOP-8
DD
GGate
DDrain
SSource
Pin 1
G
SSS
Ordering Information
Device
MTB9D0N10RQ8-0-T3-G
Package
Shipping
SOP-8
(RoHS compliant & Halogen-free package)
2500 pcs / Tape & Reel
Environment friendly grade : S for RoHS compliant products, G for RoHS compliant
and green compound products
Packing spec, T3 : 2500 pcs / tape & reel, 13” reel
Product rank, zero for no rank products
Product name
MTB9D0N10RQ8
CYStek Product Specification




MTB9D0N10RQ8 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C169Q8
Issued Date : 2016.11.04
Revised Date :
Page No. : 4/9
Typical Characteristics
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
Typical Output Characteristics
10V,9V,8V,7V,6V,5V,4V,3.5V
VGS=3V
24 68
VDS, Drain-Source Voltage(V)
10
Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current
10
Brekdown Voltage vs Ambient Temperature
1.4
1.2
1
0.8
0.6
ID=250μA,
VGS=0V
0.4
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)
Reverse Drain Current vs Source-Drain Voltage
1.2
1.0
Tj=25°C
0.8
VGS=4.5V
VGS=10V
0.6
Tj=150°C
0.4
1
0.1
1 10
ID, Drain Current(A)
100
Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source
Voltage
100
90
80 ID=11.5A
70
60
50
40
30
20
10
0
0 2 4 6 8 10
VGS, Gate-Source Voltage(V)
0.2
0
24 68
IDR, Reverse Drain Current(A)
10
Drain-Source On-State Resistance vs Junction Tempearture
3.2
2.8 VGS=10V, ID=11.5A
RDS(ON)@Tj=25°C : 5.6mΩ typ.
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Tj, Junction Temperature(°C)
MTB9D0N10RQ8
CYStek Product Specification

4페이지










MTB9D0N10RQ8 전자부품, 판매, 대치품
Reel Dimension
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C169Q8
Issued Date : 2016.11.04
Revised Date :
Page No. : 7/9
Carrier Tape Dimension
MTB9D0N10RQ8
CYStek Product Specification

7페이지


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