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MTB90P06Q8 데이터시트 PDF




Cystech Electonics에서 제조한 전자 부품 MTB90P06Q8은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MTB90P06Q8 자료 제공

부품번호 MTB90P06Q8 기능
기능 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET
제조업체 Cystech Electonics
로고 Cystech Electonics 로고


MTB90P06Q8 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MTB90P06Q8 데이터시트, 핀배열, 회로
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C733Q8
Issued Date : 2011.03.30
Revised Date : 2012.03.01
Page No. : 1/9
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET
MTB90P06Q8
BVDSS
ID
RDSON@VGS=-10V, ID=-5A
RDSON@VGS=-4.5V, ID=-3A
-60V
-5A
69 mΩ typ.
92 mΩ typ.
Description
The MTB90P06Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best
combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness.
The SOP-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications
and suited for low voltage applications such as DC/DC converters.
Features
Simple drive requirement
Low on-resistance
Fast switching speed
Pb-free and Halogen-free package
Equivalent Circuit
MTB90P06Q8
Outline
SOP-8
GGate
SSource
DDrain
MTB90P06Q8
CYStek Product Specification




MTB90P06Q8 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C733Q8
Issued Date : 2011.03.30
Revised Date : 2012.03.01
Page No. : 4/9
Typical Characteristics
Typical Output Characteristics
20
-10V, -9V, -8V, -7V,-6V,-5V
16
VGS=-4V
12
8
VGS=-3V
4
0
012 345
-VDS, Drain-Source Voltage(V)
Static Drain-Source On-State resistance vs Drain Current
10000
1000
VGS=-2.5V
VGS=-3V
VGS=-4.5V
Normalized Brekdown Voltage vs Ambient
Temperature
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-60
ID=-250μA,
VGS=0V
-20 20
60 100 140
Tj, Junction Temperature(°C)
180
Source Drain Current vs Source-Drain Voltage
1.2
VGS=0V
1
Tj=25°C
0.8
100
10
0.01
VGS=-10V
0.1 1 10
-ID, Drain Current(A)
100
Static Drain-Source On-State Resistance vs Gate-Source
Voltage
240
ID=-5A
200
160
120
80
40
0
24 68
-VGS, Gate-Source Voltage(V)
10
0.6
Tj=150°C
0.4
0.2
0
4 8 12 16
-IS, Source Drain Current(A)
20
Normalized Drain-Source On-State Resistance vs
Junction Tempearture
1.8
1.6 VGS=-10V, ID=-5A
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4 RDS(ON) @ Tj=25°C : 68.8mΩ
0.2
-60
-20 20
60 100 140
Tj, Junction Temperature(°C)
180
MTB90P06Q8
CYStek Product Specification

4페이지










MTB90P06Q8 전자부품, 판매, 대치품
Reel Dimension
CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C733Q8
Issued Date : 2011.03.30
Revised Date : 2012.03.01
Page No. : 7/9
Carrier Tape Dimension
MTB90P06Q8
CYStek Product Specification

7페이지


구       성 총 9 페이지수
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