Datasheet.kr   

CS3410BR 데이터시트 PDF




Huajing Microelectronics에서 제조한 전자 부품 CS3410BR은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 CS3410BR 자료 제공

부품번호 CS3410BR 기능
기능 Silicon N-Channel Power MOSFET
제조업체 Huajing Microelectronics
로고 Huajing Microelectronics 로고


CS3410BR 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 10 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

CS3410BR 데이터시트, 핀배열, 회로
Silicon N-Channel Power MOSFET
CS3410 BR
R
General Description
CS3410 BR, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs,
is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the
conduction loss, improve switching performance and enhance the
avalanche energy. The transistor can be used in various power
switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The
package form is TO-262, which accords with the RoHS standard.
Features
l Fast Switching
l Low ON Resistance(Rdson0.1)
l Low Gate Charge (Typical Data:20nC)
l Low Reverse transfer capacitances(Typical:100PF)
l 100% Single Pulse avalanche energy Test
Applications
Circuit of switching DC/DC converters and DC motor
control.
AbsoluteTc= 25unless otherwise specified):
Symbol Parameter
VDSS
ID
IDMa1
VGS
EAS a2
EAR a1
IAR a1
dv/dt a3
PD
TJTstg
TL
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current TC = 100 °C
Pulsed Drain Current
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Energy ,Repetitive
Avalanche Current
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation
Derating Factor above 25°C
Operating Junction and Storage Temperature Range
Maximum Temperature for Soldering
VDSS
ID
PD (TC=25)
RDS(ON)Typ
100
17
80
0.075
V
A
W
Rating
100
17
12
68
±20
500
50
3.2
5
80
0.53
17555 to 175
300
Units
V
A
A
A
V
mJ
mJ
A
V/ns
W
W/
W U XI C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D .
Page 1 of 10 2015V01




CS3410BR pdf, 반도체, 판매, 대치품
CS3410 BR
R
Characteristics Curve
100
10
DC
OPERATION IN THIS AREA
1 MAY BE LIMITED BY RDS(ON)
TJ=MAX RATED
TC=25Single Pulse
100μs
1 ms
10μs
100
80
60
40
20
0.1
1 10 100
Vds , Drain-to-Source Voltage , Volts
Figure 1 Maximum Forward Bias Safe Operating Area
20
15
0
0 25 50 75 100 125 150 175
TC , Case Temperature , C
Figure 2 Maximum Power Dissipation vs Case Temperature
70
PULSE DURATION=250μs
60
DUTY FACTOR=0.5%MAX
Tc = 25
VGS=15V
VGS=10V
VGS=8V
50
40
10
30
20
5
10
0
0
Figure 3
25 50 75 100 125 150 175
Tc, Junction temperature ,C
Maximum Continuous Drain Current vs Case Temperature
10
0
0
VGS=7V
VGS=6V
VGS=5V
VGS=5.5V
VGS=4V
5 10 15 20 25
Vds , Drain-to-Source Voltage , Volts
Figure 4 Typical Output Characteristics
30
1
20%
5%
0.1
50%
10%
Single pulse
0.01
0.00001
2%
1%
PDM
t1
t2
NOTES
DUTY FACTOR D=t1/ t2
PEAK Tj=PDM*ZthJC*RthJC+TC
0.0001
0.001
0.01
0.1
Rectangular Pulse Duration,Seconds
Figure 5 Maximum Effective Thermal Impendance , Junction to Case
1
W U XI C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D .
Page 4 of 10 2015V01
10

4페이지










CS3410BR 전자부품, 판매, 대치품
Test Circuit and Waveform
CS3410 BR
R
W U XI C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D .
Page 7 of 10 2015V01

7페이지


구       성 총 10 페이지수
다운로드[ CS3410BR.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
CS3410B3

Silicon N-Channel Power MOSFET

Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics
CS3410B4

Silicon N-Channel Power MOSFET

Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵