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부품번호 | CS6N80A8 기능 |
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기능 | Silicon N-Channel Power MOSFET | ||
제조업체 | Huajing Microelectronics | ||
로고 | |||
Silicon N-Channel Power MOSFET
CS6N80 A8
○R
General Description:
CS6N80 A8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is
obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the
conduction loss, improve switching performance and enhance
the avalanche energy. The transistor can be used in various
power switching circuit for system miniaturization and higher
efficiency. The package form is TO-220AB, which accords with
the RoHS standard.
Features:
l Fast Switching
l Low ON Resistance(Rdson≤2.2Ω)
l Low Gate Charge (Typical Data:35nC)
l Low Reverse transfer capacitances(Typical:15pF)
l 100% Single Pulse avalanche energy Test
Applications:
Atx Power、LED Power.
Absolute(Tc= 25℃ unless otherwise specified):
Symbol Parameter
VDSS
ID
IDMa1
VGS
EAS a2
EAR a1
IAR a1
dv/dt a3
PD
TJ,Tstg
TL
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current TC = 100 °C
Pulsed Drain Current
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Energy ,Repetitive
Avalanche Current
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation
Derating Factor above 25°C
Operating Junction and Storage Temperature Range
Maximum Temperature for Soldering
VDSS
ID
PD(TC=25℃)
RDS(ON)Typ
800
6
110
1.8
Rating
800
6
3.8
24
±30
300
26
2.3
5.0
110
0.88
150,–55 to 150
300
V
A
W
Ω
Units
V
A
A
A
V
mJ
mJ
A
V/ns
W
W/℃
℃
℃
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CS6N80 A8
Characteristics Curve:
○R
120
90
60
30
0
0 25 50 75 100 125 150
TC, CaseTemperature , C
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4페이지 CS6N80 A8
Test Circuit and Waveform
○R
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
CS6N80A0H | Silicon N-Channel Power MOSFET | Huajing Microelectronics |
CS6N80A8 | Silicon N-Channel Power MOSFET | Huajing Microelectronics |
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