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CS1N65A1 데이터시트 PDF




Huajing Microelectronics에서 제조한 전자 부품 CS1N65A1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 CS1N65A1 자료 제공

부품번호 CS1N65A1 기능
기능 Silicon N-Channel Power MOSFET
제조업체 Huajing Microelectronics
로고 Huajing Microelectronics 로고


CS1N65A1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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CS1N65A1 데이터시트, 핀배열, 회로
Silicon N-Channel Power MOSFET
CS1N65 A1
R
General Description
VDSS
650 V
CS1N65 A1, the silicon N-channel Enhanced ID
0.8 A
VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD (TC=25) 3 W
which reduce the conduction loss, improve switching
RDS(ON)Typ
13.8
performance and enhance the avalanche energy. The transistor
can be used in various power switching circuit for system
miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-92,
which accords with the RoHS standard.
Features
l Fast Switching
l Low ON Resistance(Rdson16)
l Low Gate Charge (Typical Data:3.6nC)
l Low Reverse transfer capacitances(Typical:1pF)
l 100% Single Pulse avalanche energy Test
Applications
Power switch circuit of adaptor and charger.
AbsoluteTc= 25unless otherwise specified):
Symbol Parameter
VDSS
ID
IDMa1
VGS
EAS a2
EAR a1
IAR a1
dv/dt a3
PD
TJTstg
TL
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current TC = 100 °C
Pulsed Drain Current
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Energy ,Repetitive
Avalanche Current
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation
Derating Factor above 25°C
Operating Junction and Storage Temperature Range
Maximum Temperature for Soldering
Rating
650
0.8
0.6
3.2
±30
10
2
0.6
5
3
0.024
15055 to 150
300
Units
V
A
A
A
V
mJ
mJ
A
V/ns
W
W/
WUXI CHI NA RESOURCES HUAJ I NG M I CROELECTRONI CS C O., LTD. Pa g e 1 of 11 20 15V0 1




CS1N65A1 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CS1N65 A1
R
Characteristics Curve
1 0 3.5
1
10μs
10ms
0.1
100ms
0 .0 1
OPERATION IN THIS AREA
MAY BE LIMITED BY RDS(ON)
0 .0 0 1
1
10
TJ=150
TC=25
Single Pulse
100
DC
1000
V ds,D rain-to-source V oltage,V olts
Figure 1 Maximum Forward Bias Safe Operating Area
1
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0 25 50 75 100 125 150
Tc , Case Temperature , C
Figure 2 Maximum Power Dissipation vs Case Temperature
1.6
1.4 VGS=10V
0.75
1.2
VGS=9V
1
VGS=8V
0.5 0.8
0.6 VGS=6V
0.25 0.4
VGS=5V
0.2
0
25 50 75 100 125 150
Tc,Case Temperature,C
Figure 3 Maximum Continuous Drain Current vs Case Temperature
1
50%
20%
0.1 10%
5%
0
0
5 10 15 20 25
Vds,Drain Source Voltage,Volts
Figure 4 Typical Output Characteristics
30
0.01
0.001
2%
1%
PDM
t1
t2
0.0001
Single pulse
0.00001
0.00001
0.0001
NOTES
DUTY FACTOR D=t1/ t2
PEAK Tj=PDM*ZthJC*RthJC+TC
0.001
0.01
0.1
1
Rectangular Pulse Duration,Seconds
Figure 5 Maximum Effective Thermal Impendance , Junction to Case
10
100
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4페이지










CS1N65A1 전자부품, 판매, 대치품
CS1N65 A1
Test Circuit and Waveform
R
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7페이지


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