Datasheet.kr   

CS1N60C3H 데이터시트 PDF




Huajing Microelectronics에서 제조한 전자 부품 CS1N60C3H은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 CS1N60C3H 자료 제공

부품번호 CS1N60C3H 기능
기능 Silicon N-Channel Power MOSFET
제조업체 Huajing Microelectronics
로고 Huajing Microelectronics 로고


CS1N60C3H 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 10 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

CS1N60C3H 데이터시트, 핀배열, 회로
Silicon N-Channel Power MOSFET
CS1N60 C3H
R
General Description
CS1N60 C3H, the silicon N-channel Enhanced
VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology
which reduce the conduction loss, improve switching
VDSS
ID
PD (TC=25)
RDS(ON)Typ
600
1.0
30
8
performance and enhance the avalanche energy. The transistor
can be used in various power switching circuit for system
miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-251,
which accords with the RoHS standard.
Features
l Fast Switching
l Low ON Resistance(Rdson10.5)
l Low Gate Charge (Typical Data:4.7nC)
l Low Reverse transfer capacitances(Typical:2.9pF)
l 100% Single Pulse avalanche energy Test
Applications
Power switch circuit of adaptor and charger.
AbsoluteTc= 25unless otherwise specified):
Symbol Parameter
Rating
VDSS
ID
IDMa1
VGS
EAS a2
EAR a1
IAR a1
dv/dt a3
PD
TJTstg
TL
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current TC = 100 °C
Pulsed Drain Current
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Energy ,Repetitive
Avalanche Current
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation
Derating Factor above 25°C
Operating Junction and Storage Temperature Range
Maximum Temperature for Soldering
600
1.0
0.6
4.0
±30
20
6
1.1
5.0
30
0.24
15055 to 150
300
V
A
W
Units
V
A
A
A
V
mJ
mJ
A
V/ns
W
W/
WUXI CHI NA RESOURCES HUAJ I NG M I CROELECTRONI CS C O., LTD. Pag e 1 of 10 20 15V0 1




CS1N60C3H pdf, 반도체, 판매, 대치품
CS1N60 C3H
R
Characteristics Curve
1 0 35
1 10μs
10ms
0 .1 100ms
0 .0 1
OPERATION IN THIS AREA
MAY BE LIMITED BY RDS(ON)
0 .0 0 1
1
TJ=150
TC=25
Single Pulse
DC
10 100 1000
V ds,D rain-to-source V oltage,V olts
Figure 1 Maximum Forward Bias Safe Operating Area
30
25
20
15
10
5
0
0 25 50 75 100 125 150
Tc , Case Temperature , C
Figure 2 Maximum Power Dissipation vs Case Temperature
1.6
1.4 VGS=10V
1.2
VGS=9V
1
VGS=8V
0.8
0.6 VGS=6V
0.4
VGS=5V
0.2
0
0
Figure 3 Maximum Continuous Drain Current vs Case Temperature
1
50%
20%
0.1 10%
5%
5 10 15 20 25
Vds,Drain Source Voltage,Volts
Figure 4 Typical Output Characteristics
30
0.01
0.001
2%
1%
PDM
t1
t2
0.0001
Single pulse
NOTES
DUTY FACTOR D=t1/ t2
PEAK Tj=PDM*ZthJC*RthJC+TC
0.00001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration,Seconds
Figure 5 Maximum Effective Thermal Impendance , Junction to Case
WUXI CHI NA RESOURCES HUAJ I NG M I CROELECTRONI CS C O. , LTD. Pag e 4 of 1 0
2015V01
100

4페이지










CS1N60C3H 전자부품, 판매, 대치품
CS1N60 C3H
Test Circuit and Waveform
R
WUXI CHI NA RESOURCES HUAJ I NG M I CROELECTRONI CS C O., LTD. Pag e 7 of 1 0 2015V01

7페이지


구       성 총 10 페이지수
다운로드[ CS1N60C3H.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
CS1N60C3H

Silicon N-Channel Power MOSFET

Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵