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CS1N60C1H 데이터시트 PDF




Huajing Microelectronics에서 제조한 전자 부품 CS1N60C1H은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 CS1N60C1H 자료 제공

부품번호 CS1N60C1H 기능
기능 Silicon N-Channel Power MOSFET
제조업체 Huajing Microelectronics
로고 Huajing Microelectronics 로고


CS1N60C1H 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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CS1N60C1H 데이터시트, 핀배열, 회로
Silicon N-Channel Power MOSFET
CS1N60 C1H
R
General Description
CS1N60 C1H-BD, the silicon N-channel Enhanced
VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology
which reduce the conduction loss, improve switching
VDSS
ID
PD (TC=25)
RDS(ON)Typ
600
1.0
3
9
performance and enhance the avalanche energy. The
transistor can be used in various power switching circuit for system
miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-92,
which accords with the RoHS standard.
Features
l Fast Switching
l Low ON Resistance(Rdson10.5)
l Low Gate Charge (Typical Data:6.0nC)
l Low Reverse transfer capacitances(Typical:4pF)
l 100% Single Pulse avalanche energy Test
Applications
Power switch circuit of adaptor and charger.
AbsoluteTc= 25unless otherwise specified):
Symbol Parameter
Rating
VDSS
ID
IDMa1
VGS
EAS a2
EAR a1
IAR a1
dv/dt a3
PD
TJTstg
TL
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current TC = 100 °C
Pulsed Drain Current
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Energy ,Repetitive
Avalanche Current
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation
Derating Factor above 25°C
Operating Junction and Storage Temperature Range
Maximum Temperature for Soldering
600
1.0
0.7
4.0
±30
70
6
1.1
5.0
3
0.024
15055 to 150
300
V
A
W
Units
V
A
A
A
V
mJ
mJ
A
V/ns
W
W/
WUXI CHI NA RESOURCES HUAJ I NG M I CROELECTRONI CS C O., LTD. Pa g e 1 of 11 20 15V0 1




CS1N60C1H pdf, 반도체, 판매, 대치품
CS1N60 C1H
R
Characteristics Curve
10
3.5
1 10μs
10ms
0 .1 100ms
0 .0 1
OPERATION IN THIS AREA DC
MAY BE LIMITED BY RDS(ON)
0 .0 0 1
1
TJ=150
TC=25
Single Pulse
10 100
V ds,D rain-to-source V oltage,V olts
1000
Figure 1 Maximum Forward Bias Safe Operating Area
1 .4
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0 25 50 75 100 125 150
Tc , Case Temperature , C
Figure 2 Maximum Power Dissipation vs Case Temperature
1.6
1 .2 1.4 VGS=10V
1 .0 1.2
1
0 .8
0.8
0 .6
0.6
0 .4
0.4
0 .2
0.2
00
0 25 50 75 100 125 150
T c , C ase T em perature ,C
0
Figure 3 Maximum Continuous Drain Current vs Case Temperature
1
50%
20%
0.1 10%
5%
VGS=9V
VGS=8V
VGS=6V
VGS=5V
5 10 15 20 25
Vds,Drain Source Voltage,Volts
Figure 4 Typical Output Characteristics
30
0.01
0.001
2%
1%
PDM
t1
t2
0.0001
Single pulse
0.00001
0.00001
0.0001
NOTES
DUTY FACTOR D=t1/ t2
PEAK Tj=PDM*ZthJC*RthJC+TC
0.001
0.01
0.1
1
Rectangular Pulse Duration,Seconds
Figure 5 Maximum Effective Thermal Impendance , Junction to Case
10
100
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4페이지










CS1N60C1H 전자부품, 판매, 대치품
CS1N60 C1H
Test Circuit and Waveform
R
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7페이지


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