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부품번호 | 3DD13003J7D 기능 |
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기능 | Silicon NPN Transistor | ||
제조업체 | Huajing Microelectronics | ||
로고 | |||
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13003 J7D
○R
产品概述
3DD13003 J7D 是 硅
NPN 型功率开关晶体管,该
产品采用平面工艺,分压环
终端结构和少子寿命控制
技术,集成了有源抗饱和网
络,提高了产品的击穿电
压、开关速度和可靠性。
产品特点
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 合适的开关速度
● 可靠性高
应用
● 紧凑型电子节能灯
● 电子镇流器
● 一般功率开关电路
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
Ptot(TC=25℃)
400
2
50
V
A
W
封装 TO-126F
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40℃
1 年 265℃
相对湿度 <85%
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25℃
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp<5ms)
基极直流电流
基极脉冲电流(tp<5ms)
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
Ta=25℃
Tc=25℃
符号
RθJC
RθJA
E
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
700
400
9
2
4
1
2
1.25
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
最小值
典型值
最大值
2.5
100
2015V01
单位
℃/W
℃/W
1/4
3DD13003 J7D
○R
外形图:TO-126F
项目
A
B
C
C1
E
F
G
H
K
L
包装说明
1)产品的小包装,采用 400 只/包的塑料袋包装;
2)产品的中包装,采用 10 包/盒的中号纸盒包装;
3)产品的大包装,采用 5 盒/箱的大号纸板箱包装。
N
规范值(mm)
最小 最大
7.40 8.20
10.30
11.20
3.20 3.50
1.70 2.20
0.60 0.80
0.30 0.60
1.17 1.37
1.90 2.30
3.50 3.90
15.00
17.00
8.50 9.50
4.70 6.50
2.09 2.49
2.90 3.10
注意事项
1)凡华润华晶出厂的产品,均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求;对于客户有特殊要求的产品,双方应签订相
关技术协议。
2)建议器件在最大额定值的 80% 以下使用;在安装时,要注意减少机械应力的产生,防止由此引起的产品失效;
避免靠近发热元件;焊接上锡时要注意控制温度和时间。
3)本规格书由华润华晶公司制作,并不断更新,更新时不再专门通知。
联络方式
无锡华润华晶微电子有限公司
公司地址 中国江苏无锡市梁溪路 14 号
邮编:214061
网址:http://www. crhj.com.cn
电话:0510-8580 7228
传真:0510-8580 0864
市场营销部 邮编:214061
电话:0510-8180 5277 / 8180 5336
应用服务 电话:0510-8180 5243
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无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
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3DD13003J7D | Silicon NPN Transistor | Huajing Microelectronics |
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