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부품번호 | 3DD13003H1D 기능 |
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기능 | Silicon NPN Transistor | ||
제조업체 | Huajing Microelectronics | ||
로고 | |||
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13003 H1D
○R
产品概述
3DD13003 H1D 是硅
NPN 型功率开关晶体管,该
产品采用平面工艺,分压环
终端结构和少子寿命控制
技术,集成了有源抗饱和网
络,提高了产品的击穿电
压、开关速度和可靠性。
产品特点
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 合适的开关速度
● 可靠性高
应用
● 紧凑型电子节能灯
● 电子镇流器
● 一般功率开关电路
特征参数
符号
额定值
VCEO
IC
Ptot (Ta=25℃)
400
1.8
0.8
单位
V
A
W
封装 TO-92
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40℃
1 年 265℃
相对湿度 <85%
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25℃
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp<5ms)
基极直流电流
基极脉冲电流(tp<5ms)
耗散功率
结温
贮存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
E
额定值
600
400
9
1.8
3.6
0.9
1.8
0.8
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
热阻
参数名称
结到环境的热阻
符号
RθJA
最小值
典型值
最大值
156
单位
℃/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/5
外形图:TO-92
3DD13003 H1D
项目
A
B
C
D
E
F
L
N
包装说明
袋装:
1)产品的小包装,采用 1000 只/包的塑料袋包装;
2)产品的中包装,采用 10 包/盒的中号纸盒包装;
3)产品的大包装,采用 8 盒/箱的大号纸板箱包装。
编带:
外形图:
○R
规范值(mm)
最小
最大
4.30 4.90
4.30 4.90
3.20 3.80
1.20 1.40
0.40 0.60
0.30 0.50
12.70
15.50
1.07 1.47
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
4/5
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
3DD13003H1D | Silicon NPN Transistor | Huajing Microelectronics |
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