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3DD13003W6D 데이터시트 PDF




Huajing Microelectronics에서 제조한 전자 부품 3DD13003W6D은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 3DD13003W6D 자료 제공

부품번호 3DD13003W6D 기능
기능 Silicon NPN Transistor
제조업체 Huajing Microelectronics
로고 Huajing Microelectronics 로고


3DD13003W6D 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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3DD13003W6D 데이터시트, 핀배열, 회로
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13003 W6D
R
产品概述
3DD13003 W6D
NPN 型功率开晶体管,
产品采用平面工艺压环
终端构和少寿命控制
技术,集成了源抗饱和网
提高了产品击穿
关速和可靠性。
产品特点
关损
反向漏电流小
特性好
合适的开关速
可靠性高
应用
紧凑型电子节能灯
电子镇流器
一般功率开
特征参数
符号
额定值
VCEO
IC
Ptot TC=25℃)
200
2
40
单位
V
A
W
封装 TO-126
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
E
Ta=25
Tc=25
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
350
200
9
2
4
1
2
1.25
40
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
符号
RθJC
RθJA
最小值
典型值
最大值
3.1
100
单位
/W
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/ 4




3DD13003W6D pdf, 반도체, 판매, 대치품
外形图:TO-126
3DD13003 W6D
项目
A
B
C
C1
E
F
G
H
K
L
N
R
(mm)
最小 最大
7.30 7.90
10.30
11.10
2.50 2.80
1.07 1.47
0.60 0.80
0.30 0.60
1.17 1.37
1.90 2.30
3.90 4.10
15.00
17.00
8.50 9.50
4.70 6.50
2.09 2.49
2.90 3.30
包装说明
1产品的小包装采用 400 /塑料袋包装;
2产品中包装采用 10 /纸盒包装;
3产品的大包装采用 5 /的大号纸板箱包装
注意事项
1)凡华润华晶出厂的产品,均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求;对于客户有特殊要求的产品,双方应签订相
关技术协议。
2)建议器件在最大额定值的 80% 以下使用;在安装时,要注意减少机械应力的产生,防止由此引起的产品失效;
避免靠近发热元件;焊接上锡时要注意控制温度和时间。
3)本规格书由华润华晶公司并不断更新更新不再专门通知
联络方式
无锡华润华晶微电子有限公司
公司地址 中国江苏无锡市梁溪14
邮编:214061
址:http://www. crhj.com.cn
话:0510-8580 7228
真:0510-8580 0864
市场营销邮编:214061
话:0510-8180 5277 / 8180 5336
E-mail[email protected]. 真:0510-8580 0360 / 8580 3016
服务 话:0510-8180 5243
真:0510-8180 5110
无锡华润华晶微电子有限公司
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