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부품번호 | 3DD13002RUD 기능 |
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기능 | Silicon NPN Transistor | ||
제조업체 | Huajing Microelectronics | ||
로고 | |||
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13002 RUD
○R
产品概述
3DD13003 RUD 是 硅
NPN 型功率开关晶体管,该
产品采用平面工艺,分压环
终端结构和少子寿命控制技
术,集成了有源抗饱和网络,
提高了产品的击穿电压、开
关速度和可靠性。
产品特点
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 合适的开关速度
● 可靠性高
应用
● 低压电子节能灯
● 电子镇流器
● 一般功率开关电路
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
Ptot (Ta=25℃)
200
1
0.5
V
A
W
封装 SOT-89S
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40℃
1 年 265℃
相对湿度 <85%
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25℃
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp<5ms)
基极直流电流
基极脉冲电流(tp<5ms)
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到环境的热阻
E
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
350
200
9
1
2
0.5
1
0.5
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
符号
RθJA
最小值
典型值
最大值
230
单位
℃/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2014 版
1/4
外形图:TO-89S
编带:
外形图:
3DD13002 RUD
○R
项目
A
B
C
D
E
F
H
J
L
K
规范值(mm)
最小 最大
3.20 3.60
2.00 2.40
1.20 Typical
0.30 Typical
1.20 1.40
0.48 Typical
1.30 1.50
0.25 Typical
0.60 0.80
3.30 3.70
包装说明
1)最小包装:采用 1500 只/盘的卷盘包装
2)中包装:采用 22500 只/内盒包装
3)大包装:采用 45000 只/外箱包装或 90000 只/外箱包装
联络方式
无锡华润华晶微电子有限公司
公司地址 中国江苏无锡市梁溪路 14 号
邮编:214061
网址:http://www. crhj.com.cn
电话:0510-8580 7228
传真:0510-8580 0864
市场营销部 邮编:214061
电话:0510-8180 5277 / 8180 5336
应用服务 电话:0510-8180 5243
传真:0510-8180 5110
无锡华润华晶微电子有限公司
2012 版
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
3DD13002RUD | Silicon NPN Transistor | Huajing Microelectronics |
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