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부품번호 | R6S05-H 기능 |
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기능 | Silicon rectifier bridge | ||
제조업체 | Huajing Microelectronics | ||
로고 | |||
产品概述
R6S05-H 是 硅 整 流 桥
堆,该产品采用平面工艺,
高温下漏电电流极小,可靠
性较高。
硅整流桥堆
R6S05-H
○R
产品特点
●超低反向漏电电流
●封装厚度薄
●ESD 击穿电压高
●无铅封装
●耐焊接温度高
应用
符号
VR
IF
特征参数
额定值
600
0.5
单位
V
A
封装 SOP4
● LED 整流电路
● 节能灯
● 中小功率电源
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40℃
1年
相对湿度 <85%
265℃
内部结构图
极限值 (Per Diode)
除非另有规定,Ta= 25℃
参数名称
重复峰值反向电压
直流阻断电压
平均正向整流电流
持续正向整流峰值电流
峰值正向浪涌电流
结到管壳的热阻最大值
贮存温度
符号
VRRM
VDC
IF(AV)
Imax
IFSM
RӨJA
Tstg
额定值
600
600
0.5
2
10
200
-55~150
单位
V
V
A
A
A
℃/W
℃
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/4
外形图 SOP4
R6S05-H
(单位: mm)
○R
项目
A
B
C
E
F
G
H
J
K
L
M
规范(mm)
MIN MAX
4.5 4.7
3.6 3.8
1.2TYP.
6.70
0.45 0.65
2.6 2.8
0.6 0.8
0.05 0.15
0.2TYP.
6.6 7.0
5.1 5.5
0.9 1.1
包装说明
1)产品的小包装,采用 5000 只/盘的塑料袋包装;
2)产品的中包装,采用 2 盘/盒的中号纸盒包装;
注意事项
1)凡华润华晶出厂的产品,均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求;对于客户有特殊要求的产品,双方应签订相
关技术协议。
2)建议器件在最大额定值的 80% 以下使用;在安装时,要注意减少机械应力的产生,防止由此引起的产品失效;
避免靠近发热元件;焊接上锡时要注意控制温度和时间。
3) 本规格书由华润华晶公司制作,并不断更新,更新时不再专门通知。
联络方式
无锡华润华晶微电子有限公司
公司地址
市场营销部
应用服务
中国江苏无锡市梁溪路 14 号
邮编:214061
网址:http://www. crhj.com.cn
电话:0510-8580 7228
传真:0510-8580 0864
邮编:214061
电话:0510-8180 5277 / 8180 5336
电话:0510-8180 5243
传真:0510-8180 5110
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
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구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
R6S05-H | Silicon rectifier bridge | Huajing Microelectronics |
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