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R6S05-H 데이터시트 PDF




Huajing Microelectronics에서 제조한 전자 부품 R6S05-H은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 R6S05-H 자료 제공

부품번호 R6S05-H 기능
기능 Silicon rectifier bridge
제조업체 Huajing Microelectronics
로고 Huajing Microelectronics 로고


R6S05-H 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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R6S05-H 데이터시트, 핀배열, 회로
产品概述
R6S05-H 是 硅 整 流 桥
堆,该产品采用平面工艺,
高温漏电电流极可靠
性较
硅整流桥堆
R6S05-H
R
产品特点
●超低反向漏电电流
●封装厚度薄
ESD 击穿电压高
●无铅封装
●耐焊接温度高
应用
符号
VR
IF
特征参数
额定值
600
0.5
单位
V
A
封装 SOP4
LED 整流电
节能灯
中小功率
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1
相对湿度 <85
265
内部结构图
极限值 Per Diode
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
重复峰值反向电压
直流阻断电压
平均正向整流电流
持续正向整流峰值电流
峰值正向浪涌电流
结到管壳的热阻最大值
贮存温度
符号
VRRM
VDC
IF(AV)
Imax
IFSM
RӨJA
Tstg
额定值
600
600
0.5
2
10
200
-55150
单位
V
V
A
A
A
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/4




R6S05-H pdf, 반도체, 판매, 대치품
外形图 SOP4
R6S05-H
(单位mm
R
项目
A
B
C
E
F
G
H
J
K
L
M
(mm)
MIN MAX
4.5 4.7
3.6 3.8
1.2TYP.
6.70
0.45 0.65
2.6 2.8
0.6 0.8
0.05 0.15
0.2TYP.
6.6 7.0
5.1 5.5
0.9 1.1
包装说明
1)产品的小包装,采用 5000 /塑料袋包
2)产品的中包装,采用 2 /盒包
注意事项
1)凡华润华晶出厂的产品,均符合相应规格书的电参数和外形尺寸要求;对于客户有特殊要求的产品,双方应签订相
关技术协议。
2)建议器件在最大额定值的 80% 以下使用;在安装时,要注意减少机械应力的产生,防止由此引起的产品失效;
避免靠近发热元件;焊接上锡时要注意控制温度和时间。
3) 本规格书由华润华晶公司并不断更新更新不再专门通知
联络方式
无锡华润华晶微电子有限公司
公司地址
市场营销
服务
国江苏锡市梁溪14
邮编214061
网址http://www. crhj.com.cn
0510-8580 7228
传真0510-8580 0864
邮编214061
0510-8180 5277 / 8180 5336
E-mail[email protected]. 传真0510-8580 0360 / 8580 3016
0510-8180 5243
传真0510-8180 5110
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
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