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PDF 형식의 8TQ100 데이터시트 제공 ( 특징, 기능 )
| 부품번호 | 8TQ100 기능 |
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| 기능 | Schottky Rectifier | ||
| 제조업체 | Vishay | ||
| 로고 |  |
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전체 6 페이지
8TQ... Series
Vishay High Power Products
Schottky Rectifier, 8 A
Base
cathode
2
TO-220AC
13
Cathode Anode
PRODUCT SUMMARY
IF(AV)
VR
8A
80/100 V
FEATURES
• 175 °C TJ operation
• Low forward voltage drop
• High frequency operation
• High purity, high temperature epoxy encapsulation for
enhanced mechanical strength and moisture resistance
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term
reliability
• Designed and qualified for industrial level
DESCRIPTION
The 8TQ... Schottky rectifier series has been optimized for
low reverse leakage at high temperature. The proprietary
barrier technology allows for reliable operation up to 175 °C
junction temperature. Typical applications are in switching
power supplies, converters, freewheeling diodes, and
reverse battery protection.
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
SYMBOL
CHARACTERISTICS
IF(AV)
Rectangular waveform
VRRM
IFSM
Range
tp = 5 µs sine
VF 8 Apk, TJ = 125 °C
TJ Range
VALUES
8
80/100
850
0.58
- 55 to 175
UNITS
A
V
A
V
°C
VOLTAGE RATINGS
PARAMETER
Maximum DC reverse voltage
Maximum working peak reverse voltage
SYMBOL
VR
VRWM
8TQ080
80
8TQ100
100
UNITS
V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
Maximum average forward current
See fig. 5
IF(AV)
Maximum peak one cycle
non-repetitive surge current
See fig. 7
IFSM
Non-repetitive avalanche energy
EAS
Repetitive avalanche current
IAR
TEST CONDITIONS
VALUES
50 % duty cycle at TC = 157 °C, rectangular waveform
8
5 µs sine or 3 µs rect. pulse
10 ms sine or 6 ms rect. pulse
Following any rated load
condition and with rated
VRRM applied
TJ = 25 °C, IAS = 0.50 A, L = 60 mH
Current decaying linearly to zero in 1 µs
Frequency limited by TJ maximum VA = 1.5 x VR typical
850
230
7.50
0.50
UNITS
A
A
mJ
A
Document Number: 93414
Revision: 19-Aug-08
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
 
8TQ... Series
Vishay High Power Products Schottky Rectifier, 8 A
180
175
170 DC
165
160
Square wave (D = 0.50)
155 80 % rated VR applied
150
145
See note (1)
140
0 2 4 6 8 10 12
IF(AV) - Average Forward Current (A)
Fig. 5 - Maximum Allowable Case Temperature vs.
Average Forward Current
1000
7
D = 0.20
6 D = 0.25
D = 0.33
5
D = 0.50
D = 0.75
4
RMS limit
3
2
DC
1
0
0 2 4 6 8 10 12
IF(AV) - Average Forward Current (A)
Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics
At any rated load condition and
with rated VRRM applied
following surge
100
10
100
1000
10 000
tp - Square Wave Pulse Duration (µs)
Fig. 7 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
D.U.T.
Current
monitor
L
IRFP460
Rg = 25 Ω
High-speed
switch
Freewheel
diode
+ Vd = 25 V
40HFL40S02
Fig. 8 - Unclamped Inductive Test Circuit
Note
(1) Formula used: TC = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC;
Pd = Forward power loss = IF(AV) x VFM at (IF(AV)/D) (see fig. 6);
PdREV = Inverse power loss = VR1 x IR (1 - D); IR at VR1 = 80 % rated VR
www.vishay.com
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For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com
Document Number: 93414
Revision: 19-Aug-08
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Vishay에서 제조한 전자 부품 8TQ100은 전자 산업 및 응용 분야에서 광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다. 8TQ100의 기능 및 특징 중 하나는 "Schottky Rectifier" 입니다. 일반적으로, Vishay에서 제조되는 전자부품들은 우수한 성능과 품질에 대한 신뢰성을 갖추고 있습니다. |
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| 부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
| 8TQ10 | SCHOTTKY RECTIFIER |  International Rectifier |
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