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BSC014N03LSG 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 BSC014N03LSG은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BSC014N03LSG 자료 제공

부품번호 BSC014N03LSG 기능
기능 Power MOSFET ( Transistor )
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


BSC014N03LSG 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BSC014N03LSG 데이터시트, 핀배열, 회로
OptiMOS™3 Power-MOSFET
Features
• Fast switching MOSFET for SMPS
• Optimized technology for DC/DC converters
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• N-channel
• Logic level;
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance R DS(on)
• Superior thermal resistance
• Avalanche rated
• Pb-free plating; RoHS compliant;
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
BSC014N03LS G
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
30 V
1.4 m
100 A
PG-TDSON-8
Type
BSC014N03LS G
Package
PG-TDSON-8
Marking
014N03LS
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
Pulsed drain current3)
Avalanche current, single pulse4)
Avalanche energy, single pulse
Gate source voltage
1) J-STD20 and JESD22
I D V GS=10 V, T C=25 °C
V GS=10 V, T C=100 °C
V GS=4.5 V, T C=25 °C
V GS=4.5 V,
T C=100 °C
V GS=10 V, T A=25 °C,
R thJA=50 K/W2)
I D,pulse
I AS
E AS
V GS
T C=25 °C
T C=25 °C
I D=50 A, R GS=25
Value
100
100
100
100
34
400
50
290
±20
Unit
A
mJ
V
Rev. 1.3
page 1
2009-10-22




BSC014N03LSG pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
2 Drain current
I D=f(T C); V GS10 V
BSC014N03LS G
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0 40 80 120
T C [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
103
limited by on-state
resistance
1 µs
10 µs
102 100 µs
DC
1 ms
101
10 ms
100
120
100
80
60
40
20
0
160 0
40 80 120
T C [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
100
0.5
0.2
10-1 0.1
0.05
0.02
0.01
10-2
single pulse
160
10-1
10-1
Rev. 1.3
100 101
V DS [V]
10-3
102
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
t p [s]
page 4
2009-10-22

4페이지










BSC014N03LSG 전자부품, 판매, 대치품
13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25
parameter: T j(start)
100
125 °C
100 °C
25 °C
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=30 A pulsed
parameter: V DD
12
10
BSC014N03LS G
15 V
6V
24 V
8
10 6
4
2
1
1 10 100
t AV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA
1000
0
0
40 80
Q gate [nC]
16 Gate charge waveforms
120
34
V GS
32
30
28
26 V g s(th)
24
Rev. 1.3
22 Q g(th)
20
-60 -20 20
60 100 140 180
T j [°C]
page 7
Q gs
Qg
Q sw
Q gd
Q gate
2009-10-22

7페이지


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