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부품번호 | BSC022N03SG 기능 |
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기능 | Power MOSFET ( Transistor ) | ||
제조업체 | Infineon | ||
로고 | |||
전체 10 페이지수
OptiMOS™2 Power-Transistor
Features
• Fast switching MOSFET for SMPS
• Optimized technology for notebook DC/DC converters
• Qualified according to JEDEC1 for target applications
• Logic level / N-channel
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance R DS(on)
• Superior thermal resistance
• Avalanche rated; dv/dt rated
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
BSC022N03S G
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
30 V
2.2 mΩ
100 A
PG-TDSON-8
Type
BSC022N03S G
Package
PG-TDSON-8
Marking
22N03S
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
I D T C=25 °C
T C=100 °C
T A=25 °C,
R thJA=45 K/W2)
Pulsed drain current
Avalanche energy, single pulse
Reverse diode dv /dt
I D,pulse
E AS
dv /dt
T C=25 °C3)
I D=50 A, R GS=25 Ω
I D=50 A, V DS=24 V,
di /dt =200 A/µs,
T j,max=150 °C
Gate source voltage
V GS
Power dissipation
P tot T C=25 °C
T A=25 °C,
R thJA=45 K/W2)
Operating and storage temperature T j, T stg
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Rev. 1.65
page 1
Value
100
100
28
200
800
6
±20
104
2.8
-55 ... 150
55/150/56
Unit
A
mJ
kV/µs
V
W
°C
2009-10-22
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
2 Drain current
I D=f(T C); V GS≥10 V
BSC022N03S G
120 120
100 100
80 80
60 60
40 40
20 20
0
0 40 80
T C [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
103
limited by on-state
resistance
120
10 µs
102 100 µs
101
100
10-1
Rev. 1.65
1 ms
10 ms
DC
100 101
V DS [V]
0
160 0
40 80 120
T C [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
101
160
100
0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
10-2
102
10-5
10-4
page 4
10-3
10-2
t p [s]
10-1
100
2009-10-22
4페이지 13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 Ω
parameter: T j(start)
100
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=25 A pulsed
parameter: V DD
12
100 °C
125 °C
25 °C
10
8
BSC022N03S G
15 V
6V
24 V
10 6
4
2
1
1 10 100
t AV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA
1000
0
0
25 50
Q gate [nC]
16 Gate charge waveforms
75
100
35
V GS
Qg
32
29
26 V g s(th)
23
Q g(th)
20
-60
-10
40
90 140 190
T j [°C]
Rev. 1.65
page 7
Q gs
Q sw
Q gd
Q gate
2009-10-22
7페이지 | |||
구 성 | 총 10 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BSC022N03S | OptiMOS2 Power-Transistor | Infineon Technologies AG |
BSC022N03SG | Power MOSFET ( Transistor ) | Infineon |
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