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VP2020L 데이터시트 PDF




TEMIC에서 제조한 전자 부품 VP2020L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 VP2020L 자료 제공

부품번호 VP2020L 기능
기능 P-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors
제조업체 TEMIC
로고 TEMIC 로고


VP2020L 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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VP2020L 데이터시트, 핀배열, 회로
Siliconix
TP1220L, TP/VP2020L, BSS92
PĆChannel EnhancementĆMode MOS Transistors
Product Summary
Part Number
TP1220L
TP2020L
VP2020L
BSS92
V(BR)DSS Min (V)
-120
-200
-200
-200
rDS(on) Max (W)
20 @ VGS = -4.5 V
20 @ VGS = -4.5 V
20 @ VGS = -4.5 V
20 @ VGS = -10 V
VGS(th) (V)
-1 to -2.4
-1 to -2.4
-0.8 to -2.5
-0.8 to -2.8
ID (A)
-0.12
-0.12
-0.12
-0.15
Features
D HighĆSide Switching
D Secondary Breakdown Free:
-220 V
D Low OnĆResistance: 11.5 W
D LowĆPower/Voltage Driven
D Excellent Thermal Stability
Benefits
D Ease in Driving Switches
D FullĆVoltage Operation
D Low Offset Voltage
D Easily Driven Without Buffer
D No HighĆTemperature
RunĆAway"
Applications
D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps,
Hammers, Displays, Memories, Transistors,
etc.
D Power Supply, Converters
D Motor Control
D Switches
TOĆ226AA
(TOĆ92)
S1
G2
D3
Top View
TP1220L
TP2020L
VP2020L
TOĆ92Ć18CD
(TOĆ18 Lead Form)
S1
D2
G3
Top View
BSS92
Absolute Maximum Ratings (TA = 25_C Unless Otherwise Noted)
Parameter
Symbol
DrainĆSource Voltage
GateĆSource Voltage
Continuous Drain Current (TJ = 150_C)
P u l s e d D r a i n Ca u r r e n t
TA= 25_C
TA= 1 0_0C
Power Dissipation
Maximum JunctionĆtoĆAmbient
TA= 25_C
TA= 100_C
Operating Junction and Storage Temperature Range
Notes
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.
VDS
VGS
ID
IDM
PD
RthJA
TJ, Tstg
TP1220L TP2020L VP2020L
-120
"20
-0.12
-0.08
-0.48
0.8
0.32
156
-200
-200
"20
"20
-0.12
-0.12
-0.08 -0.08
-0.48
-0.48
0.8 0.8
0.32 0.32
156 156
-55 to 150
BSS92 Unit
-200
"20
-0.15
-0.09
-0.6
1.0
0.4
125
V
A
W
_C/W
_C
P-37994—Rev. B (08/08/94)
1




VP2020L pdf, 반도체, 판매, 대치품
TP1220L, TP/VP2020L, BSS92
Siliconix
Typical Characteristics (25_C Unless Otherwise Noted) (Cont'd)
-10.0
Threshold Region
VDS = -5 V
Capacitance
120
VGS = 0 V
f = 1 MHz
100
-1.0
TJ = 150_C
-0.1
125_C
25_C
-55_C
-0.01
0
-1.0
-2.0
-3.0 -3.5
VGS - GateĆtoĆSource Voltage (V)
Gate Charge
-12
-10 ID = -0.1 A
-8
VDS = -100 V
-6
-160 V
-4
80
60
40
Ciss
20 Coss
0 Crss
0 -10 -20 -30 -40
VDS - DrainĆtoĆSource Voltage (V)
-50
Load Condition Effects on Switching
100
tf VDD = -25 V
RG = 25 W
td(off)
VGS = 0 to -10 V
10
tr
td(on)
-2
0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
Qg - Total Gate Charge (pC)
1
-10
-100
ID - Drain Current (A)
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, JunctionĆtoĆAmbient (TOĆ226AA)
1
Duty Cycle = 0.5
-1000
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.01
0.1
1.0
10 100
t1 - Square Wave Pulse Duration (sec)
Notes:
PDM
t1
t2
1. Duty Cycle, D =
t1
t2
2. Per Unit Base = RthJA = 156_C/W
3. TJM - TA = PDMZthJA(t)
1 K 10 K
4 P-37994—Rev. B (08/08/94)

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