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부품번호 | BSZ018NE2LSI 기능 |
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기능 | Power-Transistor | ||
제조업체 | Infineon | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
OptiMOSTM Power-MOSFET
Features
• Optimized for high performance Buck converter
• Monolithic integrated Schottky like diode
• Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V
• 100% avalanche tested
• N-channel
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
BSZ018NE2LSI
Product Summary
VDS
RDS(on),max
ID
QOSS
QG(0V..10V)
25 V
1.8 mW
40 A
23 nC
36 nC
PG-TSDSON-8
(fused leads)
Type
Package
BSZ018NE2LSI PG-TSDSON-8 (fused leads)
Marking
018NE2I
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Value
Unit
Continuous drain current
I D V GS=10 V, T C=25 °C
V GS=10 V, T C=100 °C
V GS=4.5 V, T C=25 °C
40 A
40
40
V GS=4.5 V,
T C=100 °C
40
V GS=4.5 V, T A=25 °C,
R thJA=60 K/W2)
22
Pulsed drain current3)
I D,pulse T C=25 °C
160
Avalanche current, single pulse4)
I AS
T C=25 °C
20
Avalanche energy, single pulse
E AS I D=20 A, R GS=25 W
80 mJ
Gate source voltage
V GS
±20 V
1) J-STD20 and JESD22
2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
3) See figure 3 for more detailed information
Rev. 2.1
page 1
2013-04-25
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
2 Drain current
I D=f(T C); V GS≥10 V
BSZ018NE2LSI
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 40 80 120
TC [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
103
limited by on-state
resistance
1 µs
102 10 µs
100 µs
1 ms
10 ms
101
DC
100
50
40
30
20
10
0
160 0 40 80 120
TC [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
101
100 0.5
10-1
10-2
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
160
10-1
10-1
Rev. 2.1
100 101
VDS [V]
10-3
102
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
tp [s]
page 4
2013-04-25
4페이지 13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 W
parameter: T j(start)
100
25 °C
10 100 °C
125 °C
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=30 A pulsed
parameter: V DD
12
10
8
BSZ018NE2LSI
12 V
5V
20 V
6
4
2
1
1 10 100
tAV [µs]
15 Typ. drain-source leakage current
I DSS=f(V DS ); V GS=0 V
parameter: T j
10-2
10-3
10-4
125 °C
100 °C
75 °C
10-5
10-6
0
Rev. 2.1
25 °C
5 10 15
Vsd [V]
0
1000
0 10 20
Qgate [nC]
16 Gate charge waveforms
30
40
V GS
Qg
V gs(th)
Q g(th)
Q gs
20
page 7
Q sw
Q gd
Q gate
2013-04-25
7페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BSZ018NE2LS | n-Channel Power MOSFET | Infineon |
BSZ018NE2LSI | Power-Transistor | Infineon |
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