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부품번호 | BSZ100N06NS 기능 |
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기능 | Power-Transistor | ||
제조업체 | Infineon | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
Type
OptiMOSTM Power-Transistor
Features
• Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.
• 100% avalanche tested
• Superior thermal resistance
• N-channel
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
BSZ100N06NS
Product Summary
VDS
RDS(on),max
ID
QOSS
QG(0V..10V)
60 V
10 mW
40 A
14 nC
12 nC
PG-TSDSON-8
(Fused Leads)
Type
Package
Marking
BSZ100N06NS PG-TSDSON-8 (Fused Leads)
100N06N
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Value
Unit
Continuous drain current
I D V GS=10 V, T C=25 °C
40 A
V GS=10 V, T C=100 °C
29
V GS=10 V, T C=25 °C,
R thJA =60K/W2)
11
Pulsed drain current3)
Avalanche energy, single pulse4)
I D,pulse
E AS
T C=25 °C
I D=20 A, R GS=25 W
160
19 mJ
Gate source voltage
V GS
±20 V
1) J-STD20 and JESD22
2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
3) See figure 3 for more detailed information
4) See figure 13 for more detailed information
Rev.2.0
page 1
2013-10-17
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
40
2 Drain current
I D=f(T C); V GS≥10 V
50
BSZ100N06NS
40
30
30
20
20
10
10
0
0 25 50 75 100 125 150 175
TC [°C]
0
0 25 50 75 100 125 150 175
TC [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
103 10
limited by on-state
resistance
102 0.5
1 µs
10 µs
1
0.2
0.1
100 µs
101 0.05
1 ms
DC
0.02
10 ms
0.01
0.1
single pulse
100
10-1
10-1
Rev.2.0
100 101
VDS [V]
0.01
102
0.000001 0.00001 0.0001 0.001 0.01
0.1
tp [s]
page 4
2013-10-17
4페이지 13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 W
parameter: T j(start)
100
10
125 °C
100 °C
25 °C
1
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=20 A pulsed
parameter: V DD
12
BSZ100N06NS
30 V
10 12 V
48 V
8
6
4
0.1
1
10 100
tAV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA
2
1000
0
0
5 10
Qgate [nC]
16 Gate charge waveforms
15
70
V GS
Qg
66
62
58 V gs(th)
54
50
-60 -20 20
60 100 140 180
Tj [°C]
Q g(th)
Q gs
Rev.2.0
page 7
Q sw
Q gd
Q gate
2013-10-17
7페이지 | |||
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