|
|
|
부품번호 | IHW30N135R3 기능 |
|
|
기능 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | ||
제조업체 | Infineon | ||
로고 | |||
전체 15 페이지수
ResonantSwitchingSeries
ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode
IHW30N135R3
Datasheet
IndustrialPowerControl
IHW30N135R3
ResonantSwitchingSeries
MaximumRatings
Foroptimumlifetimeandreliability,Infineonrecommendsoperatingconditionsthatdonotexceed80%ofthemaximumratingsstatedinthisdatasheet.
Parameter
Symbol
Value
Unit
Collector-emitter voltage
DCcollectorcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°C
TC=100°C
Pulsedcollectorcurrent,tplimitedbyTvjmax
TurnoffsafeoperatingareaVCE≤1350V,Tvj≤175°C
Diodeforwardcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°C
TC=100°C
Diodepulsedcurrent,tplimitedbyTvjmax
VCE
IC
ICpuls
-
IF
IFpuls
1350
60.0
30.0
90.0
90.0
60.0
30.0
90.0
V
A
A
A
A
A
Gate-emitter voltage
TransientGate-emittervoltage(tp≤10µs,D<0.010)
PowerdissipationTC=25°C
PowerdissipationTC=100°C
Operating junction temperature
Storage temperature
VGE
Ptot
Tvj
Tstg
±20
±25
349.0
175.0
-40...+175
-55...+175
V
W
°C
°C
Soldering temperature,
wave soldering 1.6mm (0.063in.) from case for 10s
260 °C
Mounting torque, M3 screw
Maximum of mounting processes: 3
M
0.6 Nm
ThermalResistance
Parameter
Characteristic
IGBT thermal resistance,
junction - case
Diode thermal resistance,
junction - case
Thermal resistance
junction - ambient
Symbol Conditions
Rth(j-c)
Rth(j-c)
Rth(j-a)
Max.Value
Unit
0.43 K/W
0.43 K/W
40 K/W
4 Rev.2.2,2015-01-26
4페이지 ResonantSwitchingSeries
IHW30N135R3
100
10
tp=1µs
5µs
10µs
50µs
1 1ms
10ms
DC
0.1
1 10 100 1000
VCE,COLLECTOR-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 1. Forwardbiassafeoperatingarea
(D=0,TC=25°C,Tvj≤175°C;VGE=15V)
350
300
250
200
150
100
50
0
25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 2. Powerdissipationasafunctionofcase
temperature
(Tvj≤175°C)
60 90
80 VGE=20V
50
17V
70
15V
40 60 13V
11V
50
30 9V
40 7V
5V
20 30
20
10
10
0
25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 3. Collectorcurrentasafunctionofcase
temperature
(VGE≥15V,Tvj≤175°C)
0
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0
VCE,COLLECTOR-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 4. Typicaloutputcharacteristic
(Tvj=25°C)
7 Rev.2.2,2015-01-26
7페이지 | |||
구 성 | 총 15 페이지수 | ||
다운로드 | [ IHW30N135R3.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
IHW30N135R3 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |