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IHW30N135R3 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 IHW30N135R3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IHW30N135R3 자료 제공

부품번호 IHW30N135R3 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


IHW30N135R3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IHW30N135R3 데이터시트, 핀배열, 회로
ResonantSwitchingSeries
ReverseconductingIGBTwithmonolithicbodydiode
IHW30N135R3
Datasheet
IndustrialPowerControl




IHW30N135R3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IHW30N135R3
ResonantSwitchingSeries
MaximumRatings
Foroptimumlifetimeandreliability,Infineonrecommendsoperatingconditionsthatdonotexceed80%ofthemaximumratingsstatedinthisdatasheet.
Parameter
Symbol
Value
Unit
Collector-emitter voltage
DCcollectorcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°C
TC=100°C
Pulsedcollectorcurrent,tplimitedbyTvjmax
TurnoffsafeoperatingareaVCE1350V,Tvj175°C
Diodeforwardcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°C
TC=100°C
Diodepulsedcurrent,tplimitedbyTvjmax
VCE
IC
ICpuls
-
IF
IFpuls
1350
60.0
30.0
90.0
90.0
60.0
30.0
90.0
V
A
A
A
A
A
Gate-emitter voltage
TransientGate-emittervoltage(tp10µs,D<0.010)
PowerdissipationTC=25°C
PowerdissipationTC=100°C
Operating junction temperature
Storage temperature
VGE
Ptot
Tvj
Tstg
±20
±25
349.0
175.0
-40...+175
-55...+175
V
W
°C
°C
Soldering temperature,
wave soldering 1.6mm (0.063in.) from case for 10s
260 °C
Mounting torque, M3 screw
Maximum of mounting processes: 3
M
0.6 Nm
ThermalResistance
Parameter
Characteristic
IGBT thermal resistance,
junction - case
Diode thermal resistance,
junction - case
Thermal resistance
junction - ambient
Symbol Conditions
Rth(j-c)
Rth(j-c)
Rth(j-a)
Max.Value
Unit
0.43 K/W
0.43 K/W
40 K/W
4 Rev.2.2,2015-01-26

4페이지










IHW30N135R3 전자부품, 판매, 대치품
ResonantSwitchingSeries
IHW30N135R3
100
10
tp=1µs
5µs
10µs
50µs
1 1ms
10ms
DC
0.1
1 10 100 1000
VCE,COLLECTOR-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 1. Forwardbiassafeoperatingarea
(D=0,TC=25°C,Tvj175°C;VGE=15V)
350
300
250
200
150
100
50
0
25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 2. Powerdissipationasafunctionofcase
temperature
(Tvj175°C)
60 90
80 VGE=20V
50
17V
70
15V
40 60 13V
11V
50
30 9V
40 7V
5V
20 30
20
10
10
0
25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 3. Collectorcurrentasafunctionofcase
temperature
(VGE15V,Tvj175°C)
0
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0
VCE,COLLECTOR-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 4. Typicaloutputcharacteristic
(Tvj=25°C)
7 Rev.2.2,2015-01-26

7페이지


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