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PDF IPB044N15N5 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | IPB044N15N5 | |
| Descripción | MOSFET ( Transistor ) | |
| Fabricantes | Infineon | |
| Logotipo |  |
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IPB044N15N5
MOSFET
OptiMOSª5Power-Transistor,150V
Features
Features
•ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM)
•Verylowon-resistanceRDS(on)
•Verylowreverserecoverycharge(Qrr)
•175°Coperatingtemperature
•Pb-freeleadplating;RoHScompliant
•QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication
•Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification
•Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter
Value
Unit
VDS 150 V
RDS(on),max(TO263)
4.4
mΩ
ID 174 A
Qrr 42 nC
D²-PAK7pin
1
7
tab
Drain
Pin 4, tab
Gate
Pin 1
Source
Pin 2,3,5,6,7
Type/OrderingCode
IPB044N15N5
Package
PG-TO263-7
Marking
044N15N5
RelatedLinks
-
1) J-STD20 and JESD22
Final Data Sheet
1
2016-04-06
1 page  
OptiMOSª5Power-Transistor,150V
IPB044N15N5
4Electricalcharacteristicsdiagrams
Diagram1:Powerdissipation
320
280
240
200
160
120
80
40
0
0
Ptot=f(TC)
50 100
TC[°C]
150
Diagram2:Draincurrent
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
200 0
50
ID=f(TC);VGS≥10V
100
TC[°C]
150
200
Diagram3:Safeoperatingarea
103
102
10 µs
100 µs
1 µs
1 ms
Diagram4:Max.transientthermalimpedance
100
0.5
101 10 ms
DC
100
10-1
10-1
100 101
VDS[V]
ID=f(VDS);TC=25°C;D=0;parameter:tp
102
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
10-2
103
10-5
10-4
10-3
10-2
tp[s]
ZthJC=f(tp);parameter:D=tp/T
10-1
100
Final Data Sheet
5
2016-04-06
5 Page | ||
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| IPB044N15N5 | MOSFET ( Transistor ) | Infineon |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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