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부품번호 | BSC047N08NS3G 기능 |
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기능 | Power-Transistor | ||
제조업체 | Infineon | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features
• Ideal for high frequency switching and sync. rec.
• Optimized technology for DC/DC converters
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Very low on-resistance RDS(on)
• Superior thermal resistance
• N-channel, normal level
• 100% avalanche tested
• Pb-free plating; RoHS compliant
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
Type
BSC047N08NS3 G
BSC047N08NS3 G
Product Summary
VDS
RDS(on),max
ID
80 V
4.7 mΩ
100 A
Package
PG-TDSON-8
Marking
047N08NS
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
I D V GS=10 V, T C=25 °C
V GS=10 V, T C=100 °C
Value
100
79
Unit
A
V GS=10 V, T A=25 °C,
R thJA=50 K/W2)
18
Pulsed drain current3)
I D,pulse T C=25 °C
400
Avalanche energy, single pulse4) E AS I D=50 A, R GS=25 Ω
310 mJ
Gate source voltage
V GS
±20 V
1) J-STD20 and JESD22
2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
3) See figure 3 for more detailed information
4) See figure 13 for more detailed information
Rev. 2.7
page 1
2012-04-04
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
2 Drain current
I D=f(T C); V GS≥10 V
BSC047N08NS3 G
150 120
125 100
100 80
75 60
50 40
25 20
0
0 25 50 75 100 125 150 175
TC [°C]
0
0 25 50 75 100 125 150 175
TC [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
103
limited by on-state
resistance
10
1 µs
102
101
100
10-1
10-1
10 µs
100 µs
1 ms
10 ms
DC
100 101
VDS [V]
102
1
0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
0.01 0
0
10-6 10-5
0
10-4
0
10-3
tp [s]
0
10-2
0
10-1
1
100
Rev. 2.7
page 4
2012-04-04
4페이지 13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 Ω
parameter: T j(start)
100
BSC047N08NS3 G
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=25 A pulsed
parameter: V DD
12
40 V
10
125 °C
100 °C
25 °C
8
10 6
16 V
64 V
4
2
1
0.1
1 10 100
tAV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA
1000
0
0 10 20 30 40 50 60
Qgate [nC]
16 Gate charge waveforms
100
V GS
Qg
90
80
70
V g s(th)
60
50 Q g (th)
40
-60 -20 20 60 100 140 180
Tj [°C]
Q gs
Rev. 2.7
page 7
Q sw
Q gd
Q gate
2012-04-04
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