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BSC042NE7NS3G 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 BSC042NE7NS3G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BSC042NE7NS3G 자료 제공

부품번호 BSC042NE7NS3G 기능
기능 Power-Transistor
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


BSC042NE7NS3G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BSC042NE7NS3G 데이터시트, 핀배열, 회로
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features
• Optimized technology for synchronous rectification
• Ideal for high frequency switching and DC/DC converters
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Superior thermal resistance
• N-channel, normal level
• 100% avalanche tested
• Pb-free plating; RoHS compliant
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
Type
BSC042NE7NS3 G
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
BSC042NE7NS3 G
75 V
4.2 m
100 A
Package
Marking
PG-TDSON-8
042NE7NS
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
I D V GS=10 V, T C=25 °C
V GS=10 V, T C=100 °C
Value
100
83
Unit
A
V GS=10 V, T A=25 °C,
R thJA=50 K/W2)
19
Pulsed drain current3)
I D,pulse T C=25 °C
400
Avalanche energy, single pulse
E AS I D=50 A, R GS=25
220 mJ
Gate source voltage
V GS
±20 V
1) J-STD20 and JESD22
2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
3) See figure 3 for more detailed information
4) See figure 13 for more detailed information
Rev. 2.21
page 1
2009-11-11




BSC042NE7NS3G pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
2 Drain current
I D=f(T C); V GS10 V
BSC042NE7NS3 G
150 120
125 100
100 80
75 60
50 40
25 20
0
0 25 50 75 100 125 150 175
T C [°C]
0
0 25 50 75 100 125 150 175
T C [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
103
limited by on-state
resistance
102
1 µs
10 µs
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
10
100 µs
1
0.5
101
1 ms
0.2
100
10-1
10-1
10 ms
DC
100 101
V DS [V]
102
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01
0.01 0
10-6
single pulse
0
10-5
0
10-4
0
10-3
t p [s]
0
10-2
0
10-1
1
100
Rev. 2.21
page 4
2009-11-11

4페이지










BSC042NE7NS3G 전자부품, 판매, 대치품
13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25
parameter: T j(start)
100
125 °C 100 °C
25 °C
BSC042NE7NS3 G
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=50 A pulsed
parameter: V DD
12
40 V
10
20 V
60 V
8
10 6
4
2
1
0.1
1 10 100
t AV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA
1000
0
0 10 20 30 40 50 60
Q gate [nC]
16 Gate charge waveforms
90
V GS
85 Q g
80
75
V g s(th)
70
65 Q g(th)
60
-60 -20 20 60 100 140 180
T j [°C]
Rev. 2.21
page 7
Q gs
Q sw
Q gd
Q gate
2009-11-11

7페이지


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