|
|
|
부품번호 | BSC042NE7NS3G 기능 |
|
|
기능 | Power-Transistor | ||
제조업체 | Infineon | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features
• Optimized technology for synchronous rectification
• Ideal for high frequency switching and DC/DC converters
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Superior thermal resistance
• N-channel, normal level
• 100% avalanche tested
• Pb-free plating; RoHS compliant
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
Type
BSC042NE7NS3 G
Product Summary
V DS
R DS(on),max
ID
BSC042NE7NS3 G
75 V
4.2 mΩ
100 A
Package
Marking
PG-TDSON-8
042NE7NS
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
I D V GS=10 V, T C=25 °C
V GS=10 V, T C=100 °C
Value
100
83
Unit
A
V GS=10 V, T A=25 °C,
R thJA=50 K/W2)
19
Pulsed drain current3)
I D,pulse T C=25 °C
400
Avalanche energy, single pulse
E AS I D=50 A, R GS=25 Ω
220 mJ
Gate source voltage
V GS
±20 V
1) J-STD20 and JESD22
2) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 µm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
3) See figure 3 for more detailed information
4) See figure 13 for more detailed information
Rev. 2.21
page 1
2009-11-11
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
2 Drain current
I D=f(T C); V GS≥10 V
BSC042NE7NS3 G
150 120
125 100
100 80
75 60
50 40
25 20
0
0 25 50 75 100 125 150 175
T C [°C]
0
0 25 50 75 100 125 150 175
T C [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
103
limited by on-state
resistance
102
1 µs
10 µs
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
10
100 µs
1
0.5
101
1 ms
0.2
100
10-1
10-1
10 ms
DC
100 101
V DS [V]
102
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01
0.01 0
10-6
single pulse
0
10-5
0
10-4
0
10-3
t p [s]
0
10-2
0
10-1
1
100
Rev. 2.21
page 4
2009-11-11
4페이지 13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 Ω
parameter: T j(start)
100
125 °C 100 °C
25 °C
BSC042NE7NS3 G
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=50 A pulsed
parameter: V DD
12
40 V
10
20 V
60 V
8
10 6
4
2
1
0.1
1 10 100
t AV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA
1000
0
0 10 20 30 40 50 60
Q gate [nC]
16 Gate charge waveforms
90
V GS
85 Q g
80
75
V g s(th)
70
65 Q g(th)
60
-60 -20 20 60 100 140 180
T j [°C]
Rev. 2.21
page 7
Q gs
Q sw
Q gd
Q gate
2009-11-11
7페이지 | |||
구 성 | 총 9 페이지수 | ||
다운로드 | [ BSC042NE7NS3G.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BSC042NE7NS3G | Power-Transistor | Infineon |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |