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부품번호 | BSC057N03MSG 기능 |
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기능 | Power-Transistor | ||
제조업체 | Infineon | ||
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전체 10 페이지수
BSC057N03MS G
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET
Features
• Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)
• Low FOMSW for High Frequency SMPS
• 100% avalanche tested
• N-channel
• Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• Superior thermal resistance
• Pb-free plating; RoHS compliant
Product Summary
VDS
RDS(on),max
ID
VGS=10 V
VGS=4.5 V
30
5.7
7.2
71
PG-TDSON-8
V
mW
A
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
Type
BSC057N03MS G
Package
PG-TDSON-8
Marking
057N03MS
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Continuous drain current
I D V GS=10 V, T C=25 °C
V GS=10 V, T C=100 °C
Pulsed drain current3)
Avalanche current, single pulse4)
Avalanche energy, single pulse
Reverse diode dv /dt
Gate source voltage
1) J-STD20 and JESD22
Rev. 2.1
V GS=4.5 V, T C=25 °C
V GS=4.5 V,
T C=100 °C
V GS=4.5 V, T A=25 °C,
R thJA=50 K/W2)
I D,pulse
I AS
E AS
dv /dt
V GS
T C=25 °C
T C=25 °C
I D=40 A, R GS=25 W
I D=50 A, V DS=24 V,
di /dt =200 A/µs,
T j,max=150 °C
page 1
Value
71
45
63
40
15
284
50
25
6
±16
Unit
A
mJ
kV/µs
V
2013-05-17
1 Power dissipation
P tot=f(T C)
50
2 Drain current
I D=f(T C)
parameter: V GS
80
BSC057N03MS G
70
40
60
50
30
40
4.5 V
10 V
20
30
20
10
10
0
0 40 80
TC [°C]
3 Safe operating area
I D=f(V DS); T C=25 °C; D =0
parameter: t p
103
120
limited by on-state
resistance
102
DC
101
100
1 µs
10 µs
100 µs
1 ms
10 ms
0
160 0 40 80 120
TC [°C]
4 Max. transient thermal impedance
Z thJC=f(t p)
parameter: D =t p/T
10
0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
single pulse
160
10-1
10-1
Rev. 2.1
100 101
VDS [V]
102
0.01 0
10-6
0
10-5
0
10-4
0
10-3
0
10-2
0
10-1
1
100
tp [s]
page 4
2013-05-17
4페이지 13 Avalanche characteristics
I AS=f(t AV); R GS=25 W
parameter: T j(start)
100
25 °C
100 °C
10
BSC057N03MS G
14 Typ. gate charge
V GS=f(Q gate); I D=30 A pulsed
parameter: V DD
12
15 V
10 6 V
24 V
8
6
125 °C
4
2
1
1 10 100
tAV [µs]
15 Drain-source breakdown voltage
V BR(DSS)=f(T j); I D=1 mA
1000
0
0 5 10 15 20 25 30 35
Qgate [nC]
16 Gate charge waveforms
34
V GS
32
30
28
26 V gs(th)
24
22
20
-60
-20
20
60 100 140 180
Tj [°C]
Q g(th)
Q gs
Rev. 2.1
page 7
Qg
Q sw
Q gd
Q gate
2013-05-17
7페이지 | |||
구 성 | 총 10 페이지수 | ||
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