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부품번호 | IGW50N60TP 기능 |
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기능 | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | ||
제조업체 | Infineon | ||
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전체 14 페이지수
IGBT
TRENCHSTOPTMPerformancetechnology
IGW50N60TP
600VIGBTTRENCHSTOPTMPerformanceseries
Datasheet
IndustrialPowerControl
IGW50N60TP
TRENCHSTOPTMPerformanceSeries
MaximumRatings
Foroptimumlifetimeandreliability,Infineonrecommendsoperatingconditionsthatdonotexceed80%ofthemaximumratingsstatedinthisdatasheet.
Parameter
Symbol
Value
Unit
Collector-emittervoltage,Tvj≥25°C
DCcollectorcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°Cvaluelimitedbybondwire
TC=100°C
Pulsedcollectorcurrent,tplimitedbyTvjmax1)
VCE
IC
ICpuls
600
80.0
61.0
150.0
V
A
A
Turn off safe operating area
VCE≤600V,Tvj≤175°C,tp=1µs1)
Gate-emitter voltage
-
150.0
A
VGE ±20 V
Short circuit withstand time
VGE=15.0V,VCC≤400V
Allowed number of short circuits < 1000
Time between short circuits: ≥ 1.0s
Tvj=150°C
PowerdissipationTC=25°C
PowerdissipationTC=100°C
Operating junction temperature
Storage temperature
tSC µs
5
Ptot
319.2
159.6
W
Tvj
-40...+175
°C
Tstg
-55...+150
°C
Soldering temperature,
wave soldering 1.6mm (0.063in.) from case for 10s
260 °C
Mounting torque, M3 screw
Maximum of mounting processes: 3
M
0.6 Nm
ThermalResistance
Parameter
RthCharacteristics
IGBT thermal resistance,
junction - case
Symbol Conditions
Rth(j-c)
Value
Unit
min. typ. max.
- 0.36 0.47 K/W
1) Defined by design. Not subject to production test.
4
Rev.2.1,2016-02-05
4페이지 IGW50N60TP
TRENCHSTOPTMPerformanceSeries
350
100
300
10 DC
1
250
200
150
100
0.1
50
0.01
0.1 1 10 100 1000
VCE,COLLECTOR-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 1. Forwardbiassafeoperatingarea
(D=0,TC=25°C,Tj≤175°C;VGE=15V)
0
25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 2. Powerdissipationasafunctionofcase
temperature
(Tj≤175°C)
100
75
50
25
0
25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 3. Collectorcurrentasafunctionofcase
temperature
(VGE≥15V,Tj≤175°C)
130
120
VGE=20V
110
15V
100
13V
90
11V
80
9V
70 7V
60
50
40
30
20
10
0
01234
VCE,COLLECTOR-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 4. Typicaloutputcharacteristic
(Tj=25°C)
7 Rev.2.1,2016-02-05
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IGW50N60T | LOW LOSS IGBT | Infineon Technologies |
IGW50N60TP | IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ) | Infineon |
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