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PDF FF800R17KP4_B2 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza FF800R17KP4_B2
Descripción IGBT-Module
Fabricantes Infineon 
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No Preview Available ! FF800R17KP4_B2 Hoja de datos, Descripción, Manual

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF800R17KP4_B2
IHM-AModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled3Diode
IHM-AmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled3diode
TypischeAnwendungen
• Hochleistungsumrichter
• Mittelspannungsantriebe
• Motorantriebe
• Traktionsumrichter
• Windgeneratoren
ElektrischeEigenschaften
• ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop
• NiedrigesVCEsat
• Tvjop=150°C
• VerstärkteDiodefürRückspeisebetrieb
MechanischeEigenschaften
• 4kVAC1minIsolationsfestigkeit
AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische
Lastwechselfestigkeit
• HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit
• HoheLeistungsdichte
• Standardgehäuse
VCES = 1700V
IC nom = 800A / ICRM = 1600A
TypicalApplications
• Highpowerconverters
• Mediumvoltageconverters
• Motordrives
• Tractiondrives
• Windturbines
ElectricalFeatures
• ExtendedoperatingtemperatureTvjop
• LowVCEsat
• Tvjop=150°C
• Enlargeddiodeforregenerativeoperation
MechanicalFeatures
• 4kVAC1mininsulation
AlSiC base plate for increased thermal cycling
capability
• Highpowerandthermalcyclingcapability
• Highpowerdensity
• Standardhousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:WB
approvedby:IB
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
dateofpublication:2016-03-09
revision:V3.1
1
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23

1 page




FF800R17KP4_B2 pdf
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF800R17KP4_B2
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
1600
1400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1200
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
1600
1400
1200
VGE = 20 V
VGE = 15 V
VGE = 12 V
VGE = 10 V
VGE = 9 V
VGE = 8 V
1000
1000
800 800
600 600
400 400
200 200
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
VCE [V]
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=0.8,RGoff=1.8,VCE=900V
1600
1400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1200
1000
800
600
400
200
0
5 6 7 8 9 10 11 12 13
VGE [V]
800
750
700
650
600
550
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
IC [A]
preparedby:WB
approvedby:IB
dateofpublication:2016-03-09
revision:V3.1
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
FF800R17KP4_B2IGBT-ModuleInfineon
Infineon

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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