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IPW60R060C7 데이터시트 PDF




Infineon에서 제조한 전자 부품 IPW60R060C7은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IPW60R060C7 자료 제공

부품번호 IPW60R060C7 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고


IPW60R060C7 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IPW60R060C7 데이터시트, 핀배열, 회로
MOSFET
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
CoolMOS™C7
600VCoolMOS™C7PowerTransistor
IPW60R060C7
DataSheet
Rev.2.0
Final
PowerManagement&Multimarket




IPW60R060C7 pdf, 반도체, 판매, 대치품
600VCoolMOS™C7PowerTransistor
IPW60R060C7
2Maximumratings
atTj=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
Parameter
Symbol
Continuous drain current1)
Pulsed drain current2)
Avalanche energy, single pulse
Avalanche energy, repetitive
Avalanche current, single pulse
MOSFET dv/dt ruggedness
Gate source voltage (static)
Gate source voltage (dynamic)
Power dissipation
Storage temperature
Operating junction temperature
Mounting torque
Continuous diode forward current
Diode pulse current2)
Reverse diode dv/dt3)
ID
ID,pulse
EAS
EAR
IAS
dv/dt
VGS
VGS
Ptot
Tstg
Tj
-
IS
IS,pulse
dv/dt
Maximum diode commutation speed
Insulation withstand voltage
dif/dt
VISO
Min.
-
-
-
-
-
-
-
-20
-30
-
-55
-55
-
-
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
- 35
- 22
- 135
- 159
- 0.80
- 6.4
- 120
- 20
- 30
- 162
- 150
- 150
- 60
- 35
- 135
- 20
- 420
- n.a.
Unit Note/TestCondition
A
TC=25°C
TC=100°C
A TC=25°C
mJ ID=6.4A; VDD=50V; see table 10
mJ ID=6.4A; VDD=50V; see table 10
A-
V/ns VDS=0...400V
V static;
V AC (f>1 Hz)
W TC=25°C
°C -
°C -
Ncm
A
A
V/ns
M3 and M3.5 screws
TC=25°C
TC=25°C
VDS=0...400V,ISD<=9.9A,Tj=25°C
see table 8
A/µs
VDS=0...400V,ISD<=9.9A,Tj=25°C
see table 8
V Vrms,TC=25°C,t=1min
1) Limited by Tj max.
2) Pulse width tp limited by Tj,max
3) Identical low side and high side switch
Final Data Sheet
4
Rev.2.0,2015-11-30

4페이지










IPW60R060C7 전자부품, 판매, 대치품
600VCoolMOS™C7PowerTransistor
IPW60R060C7
Table7Reversediodecharacteristics
Parameter
Symbol
Diode forward voltage
Reverse recovery time
VSD
trr
Reverse recovery charge
Qrr
Peak reverse recovery current
Irrm
Min.
-
-
-
-
Values
Typ. Max.
0.9 -
390 -
6-
32 -
Unit Note/TestCondition
V VGS=0V,IF=15.9A,Tj=25°C
ns
VR=400V,IF=15.9A,diF/dt=100A/µs;
see table 8
µC
VR=400V,IF=15.9A,diF/dt=100A/µs;
see table 8
A
VR=400V,IF=15.9A,diF/dt=100A/µs;
see table 8
Final Data Sheet
7 Rev.2.0,2015-11-30

7페이지


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