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부품번호 | BD826 기능 |
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기능 | PNP power transistors | ||
제조업체 | Philips | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
M3D067
BD826; BD828; BD830
PNP power transistors
Product specification
Supersedes data of September 1994
File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 Jun 23
Philips Semiconductors
PNP power transistors
Product specification
BD826; BD828; BD830
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN. TYP. MAX. UNIT
ICBO
IEBO
hFE
hFE
VCEsat
VBE
fT
collector cut-off current
emitter cut-off current
IE = 0; VCB = −30 V
IE = 0; VCB = −30 V; Tj = 125 °C
IC = 0; VEB = −5 V
−
−
−
DC current gain
VCE = −2 V; see Fig.2
IC = −5 mA
IC = −150 mA
40
40
DC current gain
IC = −500 mA
25
IC = −150 mA; VCE = −2 V; see Fig.2
BD826-10; BD828-10; BD830-10
63
BD826-16; BD828-16; BD830-16
100
collector-emitter saturation voltage IC = −500 mA; IB = −50 mA
base-emitter voltage
IC = −500 mA; VCE = −2 V
−
−
transition frequency
IC = −50 mA; VCE = −5 V;
f = 100 MHz
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
75
−100
−10
−100
nA
µA
nA
−
250
−
160
250
−500
−1
−
mV
V
MHz
160
handbook, full pagewidth
hFE
120
80
40
0
−10−1
VCE = −2 V
MBH730
−1 −10 −102
Fig.2 DC current gain; typical values.
−103
IC (mA)
−104
1997 Jun 23
4
4페이지 Philips Semiconductors
PNP power transistors
NOTES
Product specification
BD826; BD828; BD830
1997 Jun 23
7
7페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BD82000FVJ | 1.5A Current Limit High Side Switch ICs | ROHM Semiconductor |
BD82001FVJ | 1.5A Current Limit High Side Switch ICs | ROHM Semiconductor |
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