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BD826 데이터시트 PDF




Philips에서 제조한 전자 부품 BD826은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BD826 자료 제공

부품번호 BD826 기능
기능 PNP power transistors
제조업체 Philips
로고 Philips 로고


BD826 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BD826 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
M3D067
BD826; BD828; BD830
PNP power transistors
Product specification
Supersedes data of September 1994
File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 Jun 23




BD826 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
PNP power transistors
Product specification
BD826; BD828; BD830
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN. TYP. MAX. UNIT
ICBO
IEBO
hFE
hFE
VCEsat
VBE
fT
collector cut-off current
emitter cut-off current
IE = 0; VCB = 30 V
IE = 0; VCB = 30 V; Tj = 125 °C
IC = 0; VEB = 5 V
DC current gain
VCE = 2 V; see Fig.2
IC = 5 mA
IC = 150 mA
40
40
DC current gain
IC = 500 mA
25
IC = 150 mA; VCE = 2 V; see Fig.2
BD826-10; BD828-10; BD830-10
63
BD826-16; BD828-16; BD830-16
100
collector-emitter saturation voltage IC = 500 mA; IB = 50 mA
base-emitter voltage
IC = 500 mA; VCE = 2 V
transition frequency
IC = 50 mA; VCE = 5 V;
f = 100 MHz
75
100
10
100
nA
µA
nA
250
160
250
500
1
mV
V
MHz
160
handbook, full pagewidth
hFE
120
80
40
0
101
VCE = 2 V
MBH730
1 10 102
Fig.2 DC current gain; typical values.
103
IC (mA)
104
1997 Jun 23
4

4페이지










BD826 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
PNP power transistors
NOTES
Product specification
BD826; BD828; BD830
1997 Jun 23
7

7페이지


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