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HCU70R1K5E 데이터시트 PDF




SemiHow에서 제조한 전자 부품 HCU70R1K5E은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 HCU70R1K5E 자료 제공

부품번호 HCU70R1K5E 기능
기능 700V N-Channel Super Junction MOSFET
제조업체 SemiHow
로고 SemiHow 로고


HCU70R1K5E 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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HCU70R1K5E 데이터시트, 핀배열, 회로
Jan 2016
HCU70R1K5E
700V N-Channel Super Junction MOSFET
Features
‰ Very Low FOM (RDS(on) X Qg)
‰ Extremely low switching loss
‰ Excellent stability and uniformity
‰ 100% Avalanche Tested
Key Parameters
Parameter
BVDSS @Tj,max
ID
RDS(on), Typ
Qg, Typ
Value
750
4
1.3
5.5
Unit
V
A
ȍ
nC
Application
‰ Switch Mode Power Supply (SMPS)
‰ Uninterruptible Power Supply (UPS)
‰ Power Factor Correction (PFC)
‰ TV power & LED Lighting Power
Package & Internal Circuit
I-PAK
TO-251A
TO-251A
(S/L)
TO-251B
(S/L)
GDS
GDS
GDS
Absolute Maximum Ratings TC=25unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VDSS
VGS
ID
IDM
EAS
PD
TJ, TSTG
TL
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
Drain Current
– Continuous (TC = 25)
– Continuous (TC = 100)
– Pulsed
(Note 1)
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Power Dissipation (TC = 25)
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
700
ρ30
4.0
2.5
12
80
28
-55 to +150
300
Units
V
V
A
A
A
mJ
W
Thermal Resistance Characteristics
Symbol
RșJC
RșJA
Parameter
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
Typ.
--
--
Max.
4.4
110
Units
/W
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͡͝ͻΒΟ͑ͣͧ͑͢͡




HCU70R1K5E pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (continued)
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-100
 Note :
1. V = 0 V
GS
2. ID = 250PA
-50 0 50 100 150
T , Junction Temperature [oC]
J
200
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
101
10 Ps
100 100 Ps
DC 1 ms
10-1
10-2
10-1
* Notes :
1. TC = 25 oC
2. TJ = 150 oC
3. Single Pulse
100 101
102
10 ms
103
VDS, Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
Note :
1. VGS = 10 V
2. ID = 2.0 A
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
4
3
2
1
0
25 50 75 100 125
TC, Case Temperature [oC]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
150
D=0.5
100 0.2
0.1
0.05
* Notes :
1. ZTJC(t) = 4.4 oC/W Max.
2. Duty Factor, D=t1/t2
3. TJM - TC = PDM * ZTJC(t)
0.02
10-1 0.01
10-5
PDM
single pulse
10-4
10-3
10-2
t1
t2
10-1
100
t1, Square Wave Pulse Duration [sec]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
101
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͡͝ͻΒΟ͑ͣͧ͑͢͡

4페이지










HCU70R1K5E 전자부품, 판매, 대치품
Package Dimension
pTwhrG
O{vTY\XhPG
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͡͝ͻΒΟ͑ͣͧ͑͢͡

7페이지


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