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3DD13003E1D 데이터시트 PDF




Huajing Microelectronics에서 제조한 전자 부품 3DD13003E1D은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 3DD13003E1D 자료 제공

부품번호 3DD13003E1D 기능
기능 NPN Transistor
제조업체 Huajing Microelectronics
로고 Huajing Microelectronics 로고


3DD13003E1D 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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3DD13003E1D 데이터시트, 핀배열, 회로
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13003 E1D
R
产品概述
3DD13003 E1D
NPN 型功率开晶体管,
产品采用平面工艺压环
终端构和少寿命控制
技术,集成了源抗饱和网
提高了产品击穿
关速和可靠性。
产品特点
关损
反向漏电流小
特性好
合适的开关速
可靠性高
应用
紧凑型电子节能灯
电子镇流器
一般功率开
特征参数
符号
额定值
VCEO
IC
Ptot Ta=25℃)
400
1.3
0.8
单位
V
A
W
封装 TO-92
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
E
额定值
600
400
9
1.3
2.6
0.65
1.3
0.8
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
热阻
参数名称
结到环境的热阻
符号
RθJA
最小值
典型值
最大值
156
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
单位
/W
1/4




3DD13003E1D pdf, 반도체, 판매, 대치품
外形图:TO-92
3DD13003 E1D
项目
A
B
C
D
E
F
L
N
包装说明
袋装:
1产品的小包装采用 1000 /塑料袋包装;
2产品中包装采用 10 /纸盒包装;
3产品的大包装采用 8 /的大号纸板箱包装
编带:
外形图:
R
(mm)
最小
最大
4.30 4.90
4.30 4.90
3.20 3.80
1.20 1.40
0.40 0.60
0.30 0.50
12.70
15.50
1.07 1.47
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
4/4

4페이지












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