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부품번호 | 3DD13003F6 기능 |
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기능 | NPN Transistor | ||
제조업체 | Huajing Microelectronics | ||
로고 | |||
华润华晶分立器件
硅 NPN 低频放大双极型晶体管
○R
3DD13003F6
1 产品概述:
3DD13003F6 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品采用平面工艺,硅特单征晶参重数掺杂衬底材料,分压
分压环终端结构和少子寿命控制技术,提高了产品的击穿电压、开关速 VCEO
400 V
度和可靠性。
产品封装形式:TO-126,符合 RoHS 指令要求。
IC
Ptot(TC=25℃)
1.5
50
A
W
2 产品特点:
TO-126
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 合适的开关速度
● 可靠性高
1
2
3
1. B 2. C
3. E
3 主要用途:
主要用于紧凑型电子节能灯、电子镇流器等功率开关电路,
是该类电子产品的核心部件。
内部等效原理图
B
C
E
产品中有毒有害物质或元素的名称及含量
有害物质或元素
部件名称
铅
汞
镉 六 价 铬 多 溴 联 苯 多溴二苯醚
(含量要求)
(Pb)
≤0.1%
(Hg)
≤0.1%
(Cd)
≤0.01%
(Cr(VI)) (PBB)
≤0.1%
≤0.1%
(PBDE)
≤0.1%
引线框
○
○
○
○
○
○
塑封树脂
○
○
○
○
○
○
管芯
○
○
○
○
○
○
内引线
○
○
○
○
○
○
焊料
×
○
○
○
○
○
说明
○:表示该元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×:表示该元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中含有铅(Pb)成分,但属于欧盟 RoHS 指令豁免范围。
无锡华润华晶微电子有限公司
第 1 页 共 5 页 2008 版
华润华晶分立器件
○R 3DD13003F6
图 5 VCEsat - IC关系曲线
图 6 VBEsat - IC关系曲线
VCEsat(1V0)
1
0.1
0.01
0.01
VBEsat1(V.5)
1.3
Ta=125℃
1.1
0.9
Ta=25℃
0.7
IC/IB=B 4
0.5
0.1
1 Ic(1A0)
0.01
Ta=25℃
Ta=125℃
IC/IB=B 4
0.1 1 Ic(1A0)
图 7 ts-Ic关系曲线 (UI9600)
ts(μs5)
4
3
2
1
0
0
Ta=25℃
0.2 0.4 Ic0(A.6)
无锡华润华晶微电子有限公司
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2008 版
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
3DD13003F | NPN Transistor | JCET |
3DD13003F1D | Silicon NPN Transistor | Huajing Microelectronics |
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