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3DG181 데이터시트 PDF




Qunli Electric에서 제조한 전자 부품 3DG181은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 3DG181 자료 제공

부품번호 3DG181 기능
기능 NPN Silicon High Reverse Voltage High Frequency Middle Power Transistor
제조업체 Qunli Electric
로고 Qunli Electric 로고


3DG181 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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3DG181 데이터시트, 핀배열, 회로
3DG181, 3DG182
NPN Silicon High Reverse Voltage High Frequency Middle Power Transistor
Features:
1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging.
2. Small volume, light weight, easy installation.
3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal amplification, low power source
adjustment circuit.
4. Quality Class: GS, G. Implementation of standards: QZJ840611
TECHNICAL DATA:
Specifications
(Ta = 25°C )
Parameter name Symbols Unit
3DG181
3DG182
C-B Breakdown Voltage V(BR)CBO V
C-E Breakdown Voltage V(BR)CEO V
E-B Breakdown Voltage V(BR)EBO V
Total Dissipation
Ptot mW
Max. Collector Current ICM mA
Junction Temperature Tjm °C
Storage Temperature Tstg °C
A
60
60
B CD E
100 140 180 220
100 140 180 220
5 (IE=0.1mA)
700 (Ta=25°C)
200
F G H I J Test Condition
60 100 140 180 220
IC=0.1mA
60 100 140 180 220
5 (IE=0.1mA)
700 (Ta=25°C)
300
175
-55~+175
Collector- Emitter
VCE(sat) V
Saturation Voltage Drop
0.8
(IC=100mA, IB=10mA)
1.0
(IC=200mA, IB=20mA)
Base- Emitter Saturation
VBE(sat) V
Voltage Drop
1.0
(IC=100mA, IB=10mA)
1.2
(IC=200mA, IB=20mA)
C-B Leakage Current
C-E Leakage Current
E-B Leakage Current
DC Current Gain
Transition frequency
ICBO
ICEO
IEBO
hFE
fT
uA
uA
uA
MHz
1.0(VCB=30V)
2.0(VCE=30V)
1.0(VEB=1.5V)
25~180 (VCE=10V, IC=50mA)
25~180 (VCE=2V, IC=200mA)
A~E:50,F~J:100 (VCE=10V, IC=20mA, f=30MHz)
hFE Colored:
Color
hFE
Orange
25~40
Yellow
40~55
Green
55~80
Blue
80~120
Purple
120~180
Outline and Dimensions:
Contact: Jandy Lei
Tel.: 13991730782
QQ: 1142478250





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