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부품번호 | CJLJF3117P 기능 |
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기능 | P-Channel MOSFET | ||
제조업체 | JCET | ||
로고 | |||
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
DFNWB2*2-6L-A Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJLJF3117P P-Channel Power MOSFET
FEATURE
Featuring a MOSFET and Schottky Diode
Independent Pinout Privides Circuit Design Flexibility
Low Profile (<0.8mm) for Easy Fit in Thin Environment
High Current Schottky Diode
DFNWB2*2-6L-A
APPLICATIONS
Optimized for Portable Applications like Cell Phones , Digital Cameras,
Media Players, etc
DC-DC Buck Circuits
Li-ion Battery Applications
Color Display and Camera Flash Regulators
MARKING:
front
Tape Drawing (Unit : mm)
back
MOSFET MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Value
Drain-Source Voltage
VDS -20
Gate-Source Voltage
VGS ±8
Continuous Drain Current
ID -3.3
Power Dissipation
PD 0.75
Thermal Resistance from Junction to Ambient
Maximum Power Dissipation*
Thermal Resistance from Junction to Ambient *
RθJA
PD
RθJA
167
1.5
83.3
Storage Temperature
Tj 150
Junction Temperature
Tstg -55 ~+150
*Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on infinite heat sink.
Unit
V
A
W
℃/W
W
℃/W
℃
B,Nov,2012
Schottky Characteristics
Forward Characteristics
2000
1000
100
Ta=100℃
10
1
Ta=25℃
0.1
0.01
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
FORWARD VOLTAGE VF (V)
Reverse Characteristics
0.01
Ta=100℃
1E-3
1E-4
1E-5
1E-6
Ta=25℃
1E-7
0
5 10 15 20 25
REVERSE VOLTAGE VR (V)
30
B,Nov,2012
4페이지 | |||
구 성 | 총 4 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
CJLJF3117P | P-Channel MOSFET | JCET |
CJLJF3117PB | P-channel MOSFET and Schottky Barrier Diode | JCET |
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