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부품번호 | KGF65A3H 기능 |
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기능 | Trench Field Stop IGBT | ||
제조업체 | Sanken | ||
로고 | |||
전체 15 페이지수
VCE = 650 V, IC = 30 A
Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode
KGF65A3H, MGF65A3H, FGF65A3H
Data Sheet
Description
KGF65A3H, MGF65A3H, and FGF65A3H are 650 V
Field Stop IGBTs. Sanken original trench structure
decreases gate capacitance, and achieves high speed
switching and switching loss reduction. Thus, Field Stop
IGBTs can improve the efficiency of your circuit.
Features
● Low Saturation Voltage
● High Speed Switching
● With Integrated Fast Recovery Diode
● RoHS Compliant
● VCE ------------------------------------------------------ 650 V
● IC (TC = 100 °C) ----------------------------------------- 30 A
● Short Circuit Withstand Time ----------------------- 10 μs
● VCE(sat)-----------------------------------------------1.9 V typ.
● tf (TJ = 175 °C) ------------------------------------ 60 ns typ.
● VF----------------------------------------------------1.8 V typ.
Applications
● Welding Converters
● PFC Circuit
Package
TO247-3L
(1) (2) (3)
TO3PF-3L
(1) (2) (3)
(1)
TO3P-3L
(4)
(1) (2) (3)
(2)(4)
(1) Gate
(2) Collector
(3) Emitter
(4) Collector
(3)
(4)
Selection Guide
Part Number
KGF65A3H
MGF65A3H
FGF65A3H
Not to scale
Package
TO247-3L
TO3P-3L
TO3PF-3L
xGF65A3H-DSE Rev.1.3
SANKEN ELCTRIC CO., LTD.
Oct. 12, 2016
http://www.sanken-ele.co.jp/en
© SANKEN ELECTRIC CO., LTD. 2016
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KGF65A3H, MGF65A3H, FGF65A3H
Test Circuits and Waveforms
DUT
(Diode)
L
RG
IC
15V VGE DUT
(IGBT)
Conditions
VCE = 400 V
IC = 30 A
VGE = 15 V
RG = 10 Ω
L= 100 μH
VCE
VGE
10%
VCE
(a) Test Circuit
dv/dt
90%
t
IC
90%
t
90%
10%
td(on)
tr
td(off)
10%
tf
t
(b) Waveform
Figure 1. Test Circuits and Waveforms of dv/dt and Switching Time
xGF65A3H-DSE Rev.1.3
SANKEN ELCTRIC CO., LTD.
Oct. 12, 2016
http://www.sanken-ele.co.jp/en
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4페이지 KGF65A3H, MGF65A3H, FGF65A3H
90
80 VCE = 5 V
70
60
50
40
30
TJ = 175 °C
20
TJ = 25 °C
10
0
0 5 10
Gate-Emitter Voltage, VGE (V)
15
Figure 10. Transfer Characteristics
3.0
VGE = 15 V
2.5 TJ = 175 °C
TJ = 25 °C
2.0
1.5 TJ = −55 °C
1.0
0.5
0
20 40
Collector Current, IC (A)
60
Figure 12. Saturation Voltage vs. Collector Current
3.0
VGE = 15 V
2.5
2.0
1.5
IC = 60 A
IC = 30 A
IC = 10 A
1.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Junction Temperature, TJ (°C)
Figure 11. Saturation Voltage vs. Junction
Temperature
7
6
5
4
3
2
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Junction Temperature, TJ (°C)
Figure 13. Gate Threshold Voltage vs. Junction
Temperature
xGF65A3H-DSE Rev.1.3
SANKEN ELCTRIC CO., LTD.
Oct. 12, 2016
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
KGF65A3H | Trench Field Stop IGBT | Sanken |
KGF65A3L | Trench Field Stop IGBT | Sanken |
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