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KGF65A3H 데이터시트 PDF




Sanken에서 제조한 전자 부품 KGF65A3H은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 KGF65A3H 자료 제공

부품번호 KGF65A3H 기능
기능 Trench Field Stop IGBT
제조업체 Sanken
로고 Sanken 로고


KGF65A3H 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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KGF65A3H 데이터시트, 핀배열, 회로
VCE = 650 V, IC = 30 A
Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode
KGF65A3H, MGF65A3H, FGF65A3H
Data Sheet
Description
KGF65A3H, MGF65A3H, and FGF65A3H are 650 V
Field Stop IGBTs. Sanken original trench structure
decreases gate capacitance, and achieves high speed
switching and switching loss reduction. Thus, Field Stop
IGBTs can improve the efficiency of your circuit.
Features
Low Saturation Voltage
High Speed Switching
With Integrated Fast Recovery Diode
RoHS Compliant
VCE ------------------------------------------------------ 650 V
IC (TC = 100 °C) ----------------------------------------- 30 A
Short Circuit Withstand Time ----------------------- 10 μs
VCE(sat)-----------------------------------------------1.9 V typ.
tf (TJ = 175 °C) ------------------------------------ 60 ns typ.
VF----------------------------------------------------1.8 V typ.
Applications
Welding Converters
PFC Circuit
Package
TO247-3L
(1) (2) (3)
TO3PF-3L
(1) (2) (3)
(1)
TO3P-3L
(4)
(1) (2) (3)
(2)(4)
(1) Gate
(2) Collector
(3) Emitter
(4) Collector
(3)
(4)
Selection Guide
Part Number
KGF65A3H
MGF65A3H
FGF65A3H
Not to scale
Package
TO247-3L
TO3P-3L
TO3PF-3L
xGF65A3H-DSE Rev.1.3
SANKEN ELCTRIC CO., LTD.
Oct. 12, 2016
http://www.sanken-ele.co.jp/en
© SANKEN ELECTRIC CO., LTD. 2016
1




KGF65A3H pdf, 반도체, 판매, 대치품
KGF65A3H, MGF65A3H, FGF65A3H
Test Circuits and Waveforms
DUT
(Diode)
L
RG
IC
15V VGE DUT
(IGBT)
Conditions
VCE = 400 V
IC = 30 A
VGE = 15 V
RG = 10 Ω
L= 100 μH
VCE
VGE
10%
VCE
(a) Test Circuit
dv/dt
90%
t
IC
90%
t
90%
10%
td(on)
tr
td(off)
10%
tf
t
(b) Waveform
Figure 1. Test Circuits and Waveforms of dv/dt and Switching Time
xGF65A3H-DSE Rev.1.3
SANKEN ELCTRIC CO., LTD.
Oct. 12, 2016
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KGF65A3H 전자부품, 판매, 대치품
KGF65A3H, MGF65A3H, FGF65A3H
90
80 VCE = 5 V
70
60
50
40
30
TJ = 175 °C
20
TJ = 25 °C
10
0
0 5 10
Gate-Emitter Voltage, VGE (V)
15
Figure 10. Transfer Characteristics
3.0
VGE = 15 V
2.5 TJ = 175 °C
TJ = 25 °C
2.0
1.5 TJ = −55 °C
1.0
0.5
0
20 40
Collector Current, IC (A)
60
Figure 12. Saturation Voltage vs. Collector Current
3.0
VGE = 15 V
2.5
2.0
1.5
IC = 60 A
IC = 30 A
IC = 10 A
1.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Junction Temperature, TJ (°C)
Figure 11. Saturation Voltage vs. Junction
Temperature
7
6
5
4
3
2
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Junction Temperature, TJ (°C)
Figure 13. Gate Threshold Voltage vs. Junction
Temperature
xGF65A3H-DSE Rev.1.3
SANKEN ELCTRIC CO., LTD.
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