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부품번호 | KGF65A6H 기능 |
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기능 | Trench Field Stop IGBT | ||
제조업체 | Sanken | ||
로고 | |||
전체 14 페이지수
VCE = 650 V, IC = 60 A
Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode
KGF65A6H, MGF65A6H
Data Sheet
Description
The KGF65A6H and MGF65A6H are 650 V Field
Stop IGBTs. Sanken original trench structure decreases
gate capacitance, and achieves high speed switching and
switching loss reduction. Thus, these Field Stop IGBTs
can improve the efficiency of your circuit.
Features
● Low Saturation Voltage
● High Speed Switching
● With Integrated Fast Recovery Diode
● RoHS Compliant
● VCE ------------------------------------------------------ 650 V
● IC (TC = 100 °C) ----------------------------------------- 60 A
● Short Circuit Withstand Time ----------------------- 10 μs
● VCE(sat)-----------------------------------------------1.9 V typ.
● tf (TJ = 175 °C) ------------------------------------ 60 ns typ.
● VF----------------------------------------------------1.8 V typ.
Applications
● Welding Invertor
● PFC Circuit
Packages
TO247-3L
(4)
TO3P-3L
(4)
(1) (2) (3)
(1) (2) (3)
(2)(4)
(1) Gate
(2) Collector
(1) (3) Emitter
(4) Collector
(3)
Selection Guide
Part Number
KGF65A6H
MGF65A6H
Not to scale
Package
TO247-3L
TO3P-3L
xGF65A6H-DSE Rev.1.8
SANKEN ELCTRIC CO.,LTD.
Nov. 10, 2016
http://www.sanken-ele.co.jp/en
© SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 2014
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KGF65A6H, MGF65A6H
Test Circuits and Waveforms
DUT
(Diode)
L
RG
IC
15V VGE DUT
(IGBT)
Conditions:
VCE = 400 V
IC = 60 A
VGE = 15 V
RG = 10 Ω
L = 100 μH
VCE
VGE
10%
VCE
(a) Test Circuit
dv/dt
90%
t
IC
90%
t
90%
10%
td(on)
tr
td(off)
10%
tf
t
(b) Waveform
Figure 1. Test Circuits and Waveforms of dv/dt and Switching Time
xGF65A6H-DSE Rev.1.8
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Nov. 10, 2016
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4페이지 KGF65A6H, MGF65A6H
3.0
VGE = 15 V TJ = 175 °C
2.5
TJ = 25 °C
2.0
1.5
TJ = −55 °C
1.0
0.5
0
20 40 60 80 100
Collector Current, IC (A)
120
Figure 10. Saturation Voltage vs. Collector
Current
10000
1000
Cies
Coes
100
Cres
f = 1 MHz,
VGE = 0 V
10
0
10 20 30 40
Collector–Emitter Voltage, VCE (V)
50
Figure 12. Capacitance Characteristics
7
6
5
4
3
2
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Junction Temperature, TJ (°C)
Figure 11. Gate Threshold Voltage vs. Junction
Temperature
20
IC = 60 A
VCE ≈ 130 V
10
VCE ≈ 520 V
0
0 20 40 60 80 100 120
Gate Charge, Qg (nC)
Figure 13. Typical Gate Charge
xGF65A6H-DSE Rev.1.8
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KGF65A6H | Trench Field Stop IGBT | Sanken |
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