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KGF65A6H 데이터시트 PDF




Sanken에서 제조한 전자 부품 KGF65A6H은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 KGF65A6H 자료 제공

부품번호 KGF65A6H 기능
기능 Trench Field Stop IGBT
제조업체 Sanken
로고 Sanken 로고


KGF65A6H 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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KGF65A6H 데이터시트, 핀배열, 회로
VCE = 650 V, IC = 60 A
Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode
KGF65A6H, MGF65A6H
Data Sheet
Description
The KGF65A6H and MGF65A6H are 650 V Field
Stop IGBTs. Sanken original trench structure decreases
gate capacitance, and achieves high speed switching and
switching loss reduction. Thus, these Field Stop IGBTs
can improve the efficiency of your circuit.
Features
Low Saturation Voltage
High Speed Switching
With Integrated Fast Recovery Diode
RoHS Compliant
VCE ------------------------------------------------------ 650 V
IC (TC = 100 °C) ----------------------------------------- 60 A
Short Circuit Withstand Time ----------------------- 10 μs
VCE(sat)-----------------------------------------------1.9 V typ.
tf (TJ = 175 °C) ------------------------------------ 60 ns typ.
VF----------------------------------------------------1.8 V typ.
Applications
Welding Invertor
PFC Circuit
Packages
TO247-3L
(4)
TO3P-3L
(4)
(1) (2) (3)
(1) (2) (3)
(2)(4)
(1) Gate
(2) Collector
(1) (3) Emitter
(4) Collector
(3)
Selection Guide
Part Number
KGF65A6H
MGF65A6H
Not to scale
Package
TO247-3L
TO3P-3L
xGF65A6H-DSE Rev.1.8
SANKEN ELCTRIC CO.,LTD.
Nov. 10, 2016
http://www.sanken-ele.co.jp/en
© SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 2014
1




KGF65A6H pdf, 반도체, 판매, 대치품
KGF65A6H, MGF65A6H
Test Circuits and Waveforms
DUT
(Diode)
L
RG
IC
15V VGE DUT
(IGBT)
Conditions:
VCE = 400 V
IC = 60 A
VGE = 15 V
RG = 10 Ω
L = 100 μH
VCE
VGE
10%
VCE
(a) Test Circuit
dv/dt
90%
t
IC
90%
t
90%
10%
td(on)
tr
td(off)
10%
tf
t
(b) Waveform
Figure 1. Test Circuits and Waveforms of dv/dt and Switching Time
xGF65A6H-DSE Rev.1.8
SANKEN ELCTRIC CO.,LTD.
Nov. 10, 2016
http://www.sanken-ele.co.jp/en
© SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 2014
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KGF65A6H 전자부품, 판매, 대치품
KGF65A6H, MGF65A6H
3.0
VGE = 15 V TJ = 175 °C
2.5
TJ = 25 °C
2.0
1.5
TJ = −55 °C
1.0
0.5
0
20 40 60 80 100
Collector Current, IC (A)
120
Figure 10. Saturation Voltage vs. Collector
Current
10000
1000
Cies
Coes
100
Cres
f = 1 MHz,
VGE = 0 V
10
0
10 20 30 40
CollectorEmitter Voltage, VCE (V)
50
Figure 12. Capacitance Characteristics
7
6
5
4
3
2
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
Junction Temperature, TJ (°C)
Figure 11. Gate Threshold Voltage vs. Junction
Temperature
20
IC = 60 A
VCE 130 V
10
VCE 520 V
0
0 20 40 60 80 100 120
Gate Charge, Qg (nC)
Figure 13. Typical Gate Charge
xGF65A6H-DSE Rev.1.8
SANKEN ELCTRIC CO.,LTD.
Nov. 10, 2016
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