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LY5421 데이터시트 PDF




Siemens에서 제조한 전자 부품 LY5421은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 LY5421 자료 제공

부품번호 LY5421 기능
기능 Super-Bright LED
제조업체 Siemens
로고 Siemens 로고


LY5421 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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LY5421 데이터시트, 핀배열, 회로
5 mm (T1 3/4) LED, Non Diffused
Super-Bright LED
LS 5421, LO 5411, LY 5421
LG 5411
Besondere Merkmale
q eingefärbtes, klares Gehäuse
q als optischer Indikator bei hohem Umgebungslicht
q Lötspieße ohne Aufsetzebene
q gegurtet lieferbar
q Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
q colored, clear package
q for use as optical indicator in bright ambient light
q solder leads without stand-off
q available taped on reel
q load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
11.96




LY5421 pdf, 반도체, 판매, 대치품
LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
LS
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) λpeak
Wavelength at peak emission
(typ.)
IF = 20 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max (typ.) ∆λ
Spectral bandwidth at 50 % Irel max (typ.)
IF = 20 mA
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % IV
2ϕ
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 10 mA
(typ.) VF
(max.) VF
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.) IR
(max.) IR
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, ƒ = 1 MHz
(typ.) C0
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50
(typ.) tr
(typ.) tf
635
628
45
20
2.0
2.6
0.01
10
12
300
150
Werte
Values
LY LG
586 565
590 570
45 25
20 20
2.0 2.0
2.6 2.6
0.01 0.01
10 10
10 15
300 450
150 200
LO
610
605
40
20
2.0
2.6
0.01
10
8
300
150
Einheit
Unit
nm
nm
nm
Grad
deg.
V
V
µA
µA
pF
ns
ns
Semiconductor Group
4

4페이지










LY5421 전자부품, 판매, 대치품
LS 5421, LO 5411, LY 5421, LG 5411
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 20 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 10 mA
Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
Semiconductor Group
7

7페이지


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